AlN Nanostructured Piezoelectric Films obtained by Reactive RF Magnetron Sputtering.

Abstract

Ивана Франко 4 2 Научно-производственное предприятие "Технологии радиочастотной идентификации и связи", 127051 Москва, Сухаревская пл. 4, стр. 1 3 Научно-исследовательский институт радио им. М.И.Кривошеева, 105064 Москва, ул. Казакова 16 4 Московский физико-технический институт (государственный университет), 141701, Долгопрудный, Институтский переулок, 9 Статья поступила в редакцию 11 ноября 2019 г. Аннотация. Представлены условия получения текстурированных пленок AlN на подложках аморфных и кристаллических материалов методом реактивного ВЧ-магнетронного распыления мишени из Al в атмосфере смеси аргона и азота. Электронной микроскопией, рентгеновской дифрактометрией, энергетической дисперсионной спектроскопией и спектроскопией комбинационного рассеяния света показано влияние условий получения на скорость роста, степень кристалличности, размер и ориентирование кристаллитов. Рассмотрено влияние строения пьезоэлектрических пленок AlN на параметры устройств на поверхностных акустических волнах. Показана возможность контроля пьезоэлектрической эффективности пленок AlN по спектрам комбинационного рассеяния света. Ключевые слова: пленки нитрида алюминия, магнетронное распыление, пьезоэлектрические материалы, устройства на поверхностных акустических волнах, спектроскопия комбинационного рассеяния света.