Alternatif InGaN İnce Film Üretim Yöntemi: Termiyonik Vakum Ark

Abstract

Bu çalışmanın kapsamında, amorf cam alttaşlar üzerine indiyum galyum nitrat ince filmler hızlı ve düşük maliyetli olan termiyonik vakum ark yöntemi ile doğrudan üretilmiştir. İnce filmler tek bir deneyde alttaş ısıtma uygulamadan 2 farklı anot-alttaş arası mesafede biriktirilmiştir. Üretilen InGaN ince filmlerin yapısal ve yüzeysel özellikleri uygun analiz yöntemleri ile belirlenmiştir. X-ışını kırınım (XRD) cihazı ile XRD desenleri belirlenerek kristal boyutları Scherrer yöntemi tarafından hesaplanmıştır. Hekzagonal wurtzite kristal yapılı %50 In katkılı GaN filmlerin üretildiği belirlenmiştir. InGaN ince filmlerin yüzeysel özellikleri ise atomik kuvvet mikroskobu aracılığıyla tespit edilmiştir. Yüzey özellikleri belirlenirken histogram analizleri ve boyut analizleri yapılmıştır. GaN temelli cihazların üretiminde termiyonik vakum ark yönteminin alternatif üretim sistemi olduğu görülmüştür.