2016
DOI: 10.1007/s00339-016-0103-y
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Amorphous/microcrystalline transition of thick silicon film deposited by PECVD

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2018
2018
2024
2024

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 10 publications
(1 citation statement)
references
References 32 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Значение f C определяется с помощью следующего выражения [22,23]: Отметим, что в спектрах КРС ширина линии кристаллического кремния ω C = 520 cm −1 составляет ∼ 8 cm −1 для образцов 1, 2 и 3, а в случае образцов 4, 5 и 6 ширина данной линии оказывается равной ∼ 5 cm −1 . Это позволяет оценить размер кремниевых нанокристаллов по уширению линии КРС ω C = 520 cm −1 за счет пространственного ограничения оптических фононов в нанокристаллах [27].…”
Section: экспериментальные методикиunclassified
“…Значение f C определяется с помощью следующего выражения [22,23]: Отметим, что в спектрах КРС ширина линии кристаллического кремния ω C = 520 cm −1 составляет ∼ 8 cm −1 для образцов 1, 2 и 3, а в случае образцов 4, 5 и 6 ширина данной линии оказывается равной ∼ 5 cm −1 . Это позволяет оценить размер кремниевых нанокристаллов по уширению линии КРС ω C = 520 cm −1 за счет пространственного ограничения оптических фононов в нанокристаллах [27].…”
Section: экспериментальные методикиunclassified