2006
DOI: 10.1109/tmtt.2005.860324
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

An evaluation of three simple scalable MIM capacitor models

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

0
5
0
3

Year Published

2006
2006
2024
2024

Publication Types

Select...
6
1

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 16 publications
(8 citation statements)
references
References 9 publications
0
5
0
3
Order By: Relevance
“…При этом большая часть времени потребовалась для задания исходных данных и верификации модели в проме-жуточных конструктивных состояниях. Для сравне-ния укажем, что время построения аналогичной па-раметрической модели «ручным» способом [1] со-ставляет порядка одного-двух дней. Это подчеркива-ет эффективность и высокую степень автоматизации предлагаемой методики, а также её практическую значимость.…”
Section: синтез параметрической модели интегрального мдм-конденсатораunclassified
See 2 more Smart Citations
“…При этом большая часть времени потребовалась для задания исходных данных и верификации модели в проме-жуточных конструктивных состояниях. Для сравне-ния укажем, что время построения аналогичной па-раметрической модели «ручным» способом [1] со-ставляет порядка одного-двух дней. Это подчеркива-ет эффективность и высокую степень автоматизации предлагаемой методики, а также её практическую значимость.…”
Section: синтез параметрической модели интегрального мдм-конденсатораunclassified
“…Ключевые слова: СВЧ-монолитные интегральные схемы, пассивные компоненты, параметрическая модель, модели в виде эквивалентных схем, синтез, GaAs, МДМ-конденсатор. doi: 10.21293/1818-0442-2016-19-4-101-107 Для повышения эффективности проектирова-ния СВЧ-монолитных интегральных схем (МИС) широко используются параметрические модели, описывающие зависимости электрических характе-ристик активного или пассивного компонента от его конструктивных параметров (например, геометриче-ских размеров) [1][2][3][4][5][6].В частности, параметрические модели приме-няют при построении топологии интегральных схем. Здесь требуется выполнить переход от значений электрических параметров пассивных компонентов (сопротивлений, емкостей, индуктивностей и т.д.)…”
unclassified
See 1 more Smart Citation
“…There have been a number of publications on the approximate model of MIM capacitors in the past tens of years [3][4][5][6][7]. However, detailed formulas on equivalent circuit models used in computer-aided design (CAD) programs are rarely disclosed.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Mondal [7] presents a couple-line-based distributed model, the two-port impedance-matrix of the capacitor can be derived in terms of line parameters with the boundary conditions [8], but its parameters have been obtained by optimization, which is not ideal in circuit simulation. Mellberg [3] has compared three different models based on microstrip transmissionline models and given an evaluation. Mellberg thinks that the simple line-capacitor-line model is enough accurate in most practical application.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%