“…The most prevalent continuous ionization sources used for ion soft landing include electron impact ionization (EI) (Pradeep et al, ; Biesecker et al, ; Wijesundara et al, ; Bottcher et al, ), electrospray ionization (ESI) (Feng et al, ; Ouyang et al, ; Alvarez et al, ; Volny & Turecek, ; Mazzei et al, ; Hamann et al, ; Hauptmann et al, ), direct current (DC) or radiofrequency (RF) magnetron sputtering combined with gas aggregation (Haberland et al, , , ; Barnes et al, ; Pratontep et al, ; Tanemura et al, ; Lim et al, ; Duffe et al, ; Watanabe & Isomura, ; Gracia‐Pinilla et al, ; Nielsen et al, ; Wepasnick et al, ; Hartmann et al, ; Ludwig & Moore, ; Yin et al, ), high energy ion sputtering (Lapack et al, ; Harbich et al, ; Dong et al, ; Bromann et al, ; Fedrigo et al, ; Schaffner et al, ; O'Shea et al, ; Yamaguchi et al, ; Lau et al, ), and gas condensation/aggregation (GC) (Patil et al, ; Goldby et al, ; Yoon et al, ; Baker et al, ). Soft landing has also been accomplished using various pulsed ionization methods including matrix‐assisted laser desorption ionization (MALDI) (Rader et al, ), laser ablation/vaporization (Honea et al, ; Messerli et al, ; Pauwels et al, ; Klingeler et al, ; Heiz & Bullock, ; Melinon et al, ; Kemper et al, ; Mitsui et al, ; Winans et al, ; Cattaneo et al, ; Kaden et al, ; Davila et al, ; Tournus et al, ; Wepasnick et al, ; Woodward et al, ), the pulsed arc cluster ion source (PACIS) (Siekmann et al, ; Kaiser et al, …”