DOI: 10.11606/d.59.2010.tde-12012011-154634
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Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilizando filmes de FTO

Abstract: Não posso iniciar meus agradecimentos por outra pessoa que não minha mãe, Dona Ofélia, pelo apoio, compreensão (ou não), tolerância (ou não) e paciência (ou não) dedicados a mim, não somente durante esse trabalho, mas por toda a vida. A ela devo grande parte de minha formação como pessoa e como profissional. "Ferinha" te amo, muitíssimo obrigado! Às minhas irmãs, Camila (bem mais velha) e Regina (só um pouquinho mais nova) pelos diversos momentos de risadas, distrações, discussões, emoções, degustações e muito… Show more

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“…Figure 2 The ion sensing membrane is totally submerged on a buffer solution. It is linked by a wire to the gate of a commercial n-channel CD4007 MOSFET (and that that is the reason for the name EGFET) [12,14,15,18]. A reference electrode is also inserted into the buffer solution.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
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“…Figure 2 The ion sensing membrane is totally submerged on a buffer solution. It is linked by a wire to the gate of a commercial n-channel CD4007 MOSFET (and that that is the reason for the name EGFET) [12,14,15,18]. A reference electrode is also inserted into the buffer solution.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…The FTO film is an n-type semiconductor material made by spray pyrolysis technique [19]. This technique allows a good control of the sheet resistivity of the films, the production of a crystalline structure and leads to heterogeneous grain sizes distribution [18]. The n-type semiconductor can attract H + ions (rising I DS ).…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…The grain sizes were already measured elsewhere for this same material and is, in average, around 150nm in diameter. [125] FTO samples with sheet resistance of 10Ω/□. GTA is a classic material used in immobilization of molecules presenting lysine groups.…”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…The choice of this author to FTO is mainly related to the relative low price to acquire FTO from a manufactory besides the fact our group has a history using this material. [24,125] Although all these biosensors are claimed to work, as far as this author is concerned, none of the articles presented until today describes a very important step to make these devices useable: the cleaning process between consecutive measurements.…”
Section: Non-enzymaticmentioning
confidence: 99%
“…Experimentos realizados para determinação do melhor ambiente de medida para o funcionamento do EnFET.Nos experimentos para determinar a região de funcionamento linear foi utilizado o mesmo setup descrito no experimento acima, onde a ureia era previamente diluída nas soluções tampão. Para determinar a região linear foram utilizadas soluções tampão com Pode-se demonstrar que o valor da resistividade de determinado material é dada em um sistema de quatro pontas ideal, onde a amostra tem dimensões infinitas, por71,72 :Com a finalidade de investigar as características morfológicas do filme, optamos por realizar uma imagem de microscopia eletrônica de varredura (MEV) de uma amostra.Amostras com homogeneidade superficial já foram descritas como possuindo a característica de responderem rapidamente aos processos de adsorção e desadsorção de íons em sua superfície70 . A boa homogeneidade superficial e baixa resistência de folha encontradas caracterizam o filme de FTO como um bom candidato como camada sensível de sensores de pH embasados em EGFET.Ao extrair a raiz quadrada de ambos os lados da equação 3.…”
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