1999
DOI: 10.1063/1.123060
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Analytic model for direct tunneling current in polycrystalline silicon-gate metal–oxide–semiconductor devices

Abstract: An analytic model of the direct tunneling current in metal–oxide–semiconductor devices as a function of oxide field is presented. Accurate modeling of the low-field roll-off in the current results from proper modeling of the field dependencies of the sheet charge, electron impact frequency on the interface, and tunneling probability. To obtain the latter dependence, a modified WKB approximation is used.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1
1

Citation Types

3
103
1
1

Year Published

2009
2009
2021
2021

Publication Types

Select...
5
4

Relationship

1
8

Authors

Journals

citations
Cited by 226 publications
(108 citation statements)
references
References 9 publications
3
103
1
1
Order By: Relevance
“…Строго говоря, перед ВКБ-экспонентой в (1) нужен корректирующий фактор T R (почти всегда опускаемый), содержащий комбинацию z -компонент групповых скоро-стей частицы у гетерограниц вне и внутри барьера [7]. Этим фактором обеспечивается подход T к нулю вблизи краев энергетических диапазонов, доступных для тунне-лирования, но на точность последующего вычисления тока отсутствие T R влияет мало (важнее выбор m i и разрывов зон), так как роль T R нивелируется интегри-рованием по состояниям.…”
Section: вероятность туннелирования в случае Si(111)unclassified
“…Строго говоря, перед ВКБ-экспонентой в (1) нужен корректирующий фактор T R (почти всегда опускаемый), содержащий комбинацию z -компонент групповых скоро-стей частицы у гетерограниц вне и внутри барьера [7]. Этим фактором обеспечивается подход T к нулю вблизи краев энергетических диапазонов, доступных для тунне-лирования, но на точность последующего вычисления тока отсутствие T R влияет мало (важнее выбор m i и разрывов зон), так как роль T R нивелируется интегри-рованием по состояниям.…”
Section: вероятность туннелирования в случае Si(111)unclassified
“…This tool and Taurus Device are widely used tools for TFET simulations (12,18,17,(20)(21)(22)(23). And it provides a non-local tunneling model that can handle band-to band tunneling in hetero-structures, using a Franz two-band complex band-structure model and a modified WKB approximation for hetero-interfaces (24,25). Shockley-Read-Hall recombination and generation was also included in the simulation.…”
Section: Hettfet Conceptmentioning
confidence: 99%
“…Here TR is the modified WKB approach tunneling probability [56,57,63]. is the modified WKB approach tunneling probability, which is expressed as [57]:…”
Section: Ecb Tunneling Current Using Wkb Approximation 522mentioning
confidence: 99%
“…Several groups have studied the change of the NMOS gate current in the inversion region, but they only considered tunneling from the conduction band of the substrate to the gate (ECB tunneling) [55][56][57]. ECB tunneling has been successfully applied to explain the gate tunneling current in NMOS transistors for zero strain, or for a strained MOSFET with low substrate doping concentrations.…”
Section: 1mentioning
confidence: 99%