2014
DOI: 10.1063/1.4892885
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Anomalous lasing of high-speed 850 nm InGaAlAs oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers with a large negative gain-to-cavity wavelength detuning

Abstract: The impact of a large negative quantum well gain-to-cavity etalon wavelength detuning on the static and dynamic characteristics of 850 nm InGaAlAs high-speed oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) was investigated. Three distinct lasing regimes were revealed in large square aperture (≥7 μm per side) devices with large detuning including: (1) an anomalous lasing via higher order Hermite–Gaussian modes at low forward bias current; (2) lasing via the lowest order Hermite–Gaussian modes at… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1

Citation Types

0
0
0
4

Year Published

2015
2015
2020
2020

Publication Types

Select...
7
1

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 12 publications
(4 citation statements)
references
References 12 publications
0
0
0
4
Order By: Relevance
“…Поскольку внутренние оптические потери для различных мод лазера могут существенно различаться, подобное поведение может быть обусловлено резким изменением модового состава излучения ВИЛ. В самом деле, подобного рода нелинейность ВтАХ наблюдалась в широкоапертурных ВИЛ спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой спектральной расстройке [10] и была связана с возникновением лазерной генерации через моды высшего порядка, локализованные на периферии токовой апертуры со специфическим профилем [11]. Однако все исследуемые приборы продемонстрировали одномодовый режим генерации с фактором подавления боковых мод более 30 dB во всем диапазоне токов накачки и рабочих температур (см.…”
Section: поступило в редакцию 20 августа 2020 г в окончательной редаunclassified
“…Поскольку внутренние оптические потери для различных мод лазера могут существенно различаться, подобное поведение может быть обусловлено резким изменением модового состава излучения ВИЛ. В самом деле, подобного рода нелинейность ВтАХ наблюдалась в широкоапертурных ВИЛ спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой спектральной расстройке [10] и была связана с возникновением лазерной генерации через моды высшего порядка, локализованные на периферии токовой апертуры со специфическим профилем [11]. Однако все исследуемые приборы продемонстрировали одномодовый режим генерации с фактором подавления боковых мод более 30 dB во всем диапазоне токов накачки и рабочих температур (см.…”
Section: поступило в редакцию 20 августа 2020 г в окончательной редаunclassified
“…По этой причине скорость нарастания резонансной частоты с током (D-фактор) для многомодового лазера будет медленнее, чем в случае одномодового лазера [68]. Более того, конкуренция за носители между отдельными модами может приводить к неклассическому (более одного резонанса) виду АЧХ многомодовых лазеров [69,70].…”
Section: управление модовым составом излученияunclassified
“…5, а). Следует отметить, что проявление аномального режима лазерной генерации является нежелательным явлением при практическом использовании ВИЛ в быстродействующих системах оптической связи, которое приводит не только к нелинейности выходной мощности и ухудшению качества спектра выходного излучения, но и к нарушению линейности зависимости частоты эффективной модуляции от тока накачки [9].…”
unclassified
“…Наблюдаемое резкое изменение дифференциальной эффективности и/или существенная модификация спектра излучения с ростом тока накачки может быть обусловлена различными эффектами: пространственным выжиганием дыр в спектре усиления, вариацией показателя преломления и т. д. В лазерах с оксидной токовой апертурой модовый состав задается волноводным эффектом, обусловленным изменением эффективного показателя преломления, поэтому, несмотря на существенную разницу в латеральном распределении ближнего поля излучения широкоапертурных ВИЛ с аналогичной конструкцией апертурных слоев, по результатам которых было установлено, что поперечные моды низкого порядка в латеральном направлении пространственно локализованы внутри области, ограниченной токовой апертурой, тогда как поперечные моды высшего порядка преимущественно локализованы на периферии токовой апертуры вблизи границы полупроводникоксид [9].…”
unclassified