2015
DOI: 10.1016/j.jelechem.2015.08.035
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Antimony doped tin oxide applied in the gas diffusion layer for proton exchange membrane fuel cells

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1

Citation Types

0
1
0
2

Year Published

2015
2015
2024
2024

Publication Types

Select...
7
1

Relationship

1
7

Authors

Journals

citations
Cited by 9 publications
(3 citation statements)
references
References 26 publications
0
1
0
2
Order By: Relevance
“…Gaz difüzyon tabakasının su yönetimini geliştirmek için farklı yöntemler uygulanmakta olup, bunlar arasında ve bunlarla sınırlı olmamak üzere perforaj, PTFE kaplama ve gaz difüzyon tabakası yüzeyine mikro gözenekli tabaka uygulanması gibi yapısal modifikasyonlar yer almaktadır [46]. Bunun yanı sıra, gaz difüzyon tabakasının elektriksel ve ısıl iletkenliğini geliştirmek için yapılan çalışmalar da halen güncelliğini korumaktadır [47][48][49]. Ayrıca, gaz difüzyon tabakası üretiminde karbon dışındaki malzemelerin (metal, seramik vb.)…”
Section: Gaz Difüzyon Tabakasıunclassified
“…Gaz difüzyon tabakasının su yönetimini geliştirmek için farklı yöntemler uygulanmakta olup, bunlar arasında ve bunlarla sınırlı olmamak üzere perforaj, PTFE kaplama ve gaz difüzyon tabakası yüzeyine mikro gözenekli tabaka uygulanması gibi yapısal modifikasyonlar yer almaktadır [46]. Bunun yanı sıra, gaz difüzyon tabakasının elektriksel ve ısıl iletkenliğini geliştirmek için yapılan çalışmalar da halen güncelliğini korumaktadır [47][48][49]. Ayrıca, gaz difüzyon tabakası üretiminde karbon dışındaki malzemelerin (metal, seramik vb.)…”
Section: Gaz Difüzyon Tabakasıunclassified
“…Once the test pressure reached the set value, the relevant voltage value was recorded. The throughplane resistance was calculated using eqn (1): 25…”
Section: Materials Characterizationmentioning
confidence: 99%
“…propriedades físicas e químicas que o promovem como excelente material condutivo [21]. O óxido de índio dopado com estanho (ITO-indium tin oxide), também é um material semicondutor do tipo n, muito utilizado em materiais ópticos eletrônicos por suas características de alta condutividade e transmitância na região do espectro visível [22].…”
Section: Introductionunclassified