Application of Cesium Primary Beam to the Characterization of III.V Semiconductors by Sims

Abstract

Ce travail décrit, d'une part, les profils en profondeur des éléments : C, Si, 0, S, Se, dans du phosphure d'indium non recuit, d'autre part le comportement après recuit, des dopants résiduels : Fe, Zn, dans des substrats implantés Si, Se, ou diffusés zinc. L'utilisation d'un faisceau d'ions césium permet d'obtenir une description précise des profils pour les éléments ayant une grande affinité électronique.

On the Improvement of SIMS Technique by the Use of MCs+Molecular Ions

“…This mode has been firstly and successfully employed for detecting species as zinc and inert gases which usually show very poor atomic ion yields [6,7]. The The molecular ions are probably formed via a recombination mechanism of the neutral M atom coming out at the surface and the implanted Cs+ [4,8].…”