Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN
Abstract:AgradecimientosA ti lector, el primero de todos a ti. Gracias. Porque das sentido a estas páginas escritas con tanto sudor y alegría. Porque has sabido llegar hasta aquí donde está la parte más importante de una tesis: LAS PERSONAS. Sin todas las personas que figuran aquí abajo, esta tesis no se habría terminado. Así es. ¡Sí!. Así de sencillo y simple. Gracias.A mi familia, Alfredo, Arancha, Diana, Eva, Julia y Mercedes representáis la base angular de mi vida y de quién soy. Sin vosotros nada soy y con vosotro… Show more
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