Assessed performance of 3-dimensional micro optical switching system (3D-MOSS) with waveguide-prism-deflectors

Redução do tempo de chaveamento eletrooptico em amplificadores opticos a semicondutor

“…-micro-máquinas, para controle mecânico de arranjo de espelhos, com τ switch da ordem de milesegundos [18]; -efeito eletro-óptico, operando na faixa de microsegundos, para elementos ativos como, por exemplo, o silício, em arranjos interferométricos [19], ou filmes orgânicos [20]; -defletores acionados por tensão, com tempos de chaveamento na faixa de µs [21]; -conversão para domínio eletrônico, (fotodetecção → matriz eletrônica de conexão → fotoemissão), para aplicações em sistemas de aeronáutica de baixa taxa (2,5 Gbps), também operando em µs [22]. 16 -K. Stubkjaer, "Semiconductor optical amplifier-based all-optical gates for high-speed optical processing," IEEE J.…”

“…No passo seguinte, são carregados os arquivos de entrada e os parâmetros de simulação, que podem ser modificados pelo usuário através das interfaces de operação (vide Anexo 1). O programa, então, inicia o algoritmo de cálculo do módulo e da fase para os sinais ingressantes, na seção limite j = 0, imediatamente após o espelho do lado esquerdo (espelho com R 1 ) do modelo de propagação, de maneira a obter o sinal resultante da soma vetorial entre os sinais ópticos inseridos e os sinais contra-propagantes na primeira seção da cavidade, para cada uma das portadoras ópticas: 20) onde P é referente ao sinal óptico inserido na cavidade ativa do dispositivo e Q à porção refletida do sinal contra-propagante, calculados por:…”