Boron and nitrogen co-doping of diamond-like carbon film for transparent conductive films

Особенности Импульсного Лазерного Отжига Пленок Вс-=sub=-3-=/Sub=- На Сапфировой Подложке

“…Прецизионные исследования алмазоподобных пленок позволили выявить интересные особенности фазы " Q-carbon", которые проявились в формировании наноалмазов и высокой плотности алмазных связей s p 3 [3,4]. Следует отметить, что метастабильные В-содержащие пленки углерода кроме сверхпроводящих характеристик могут обладать комплексом перспективных для различных приложений электрофизических, магнитных, оптических и механических свойств, которые определяются особенностями структурного и химического состояния конкретных пленок В−С [3][4][5][6]. Поэтому изучение закономерностей структуро-и фазообразования в системе элементов В−С в различных условиях химического синтеза, а также быстрого охлаждения из паровой фазы (физического осаждения) или жидкого сплава (лазерное легирование/сплавление/отжиг) имеет большое научное и практическое значение.…”

Влияние бора на структуру и проводимость тонких пленок, получаемых лазерной абляцией алмаза при 700-=SUP=-o-=/SUP=-C

“…Борсодержащие пленки С кроме сверхпроводящих характеристик могут проявлять целый комплекс ин-тересных электрофизических, оптических и механических свойств [4], которые обусловливают интенсивное развитие исследований тонкопле-ночных (наномасштабированных) метастабильных материалов CB x на-ряду с изучением " массивных", в том числе микроструктурированных, материалов на основе гетероалмазов.…”

“…Можно отметить гибкость метода в получении различных по локальному состоянию алмазоподобных структур и возможность варьирования отношения В/С в широких пределах. Анализ результатов ряда работ (например, [3,4]) показал, что интересные и важные свойства пленок CB x могут реализоваться в метастабильных состояниях, для формирования которых не требу-ется экстремальной неравновесности процессов. Скорость охлаждения жидкой фазы, используемой для получения сверхпроводящих пенок из смеси С−В в [3], может составлять ∼ 10 10 K/s [7].…”

“…• C. Такая температура может активировать как процессы диффузии В в углеродной матрице пленки и ее структурную модификацию [4], так и формирование s p 2 -связей между атомами С [9]. Для получения пленок СB x использовался лазер на алюмоиттриевом гранате, излучающий на четвертой гармонике (длина волны 266 nm).…”

“…При 300 K сопротивление не превышало 1.4 m · cm. Согласно анализу опубликованных данных, такое значение является рекордно низким для алмазоподобных пленок, содержащих В (об-зор опубликованных результатов приведен в [4]). Зависимость тока от напряжения носила линейный характер.…”