«Bottom – up» nanoelectronics: the hall effects, measurement of electrochemical potentials and spin transport in the NEGF model

Кругляк, Юрій Олексійович

doi:10.15587/2313-8416.2015.51353

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 34 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Низковольтная проводимость является равновесным свойством [27] и для ее описания достаточно равновесной статистической механики. Ток за пределами режима линейного отклика при более высоком напряжении требует уже методов неравновесной статистической механики.…”

unclassified

Nanoelectronics «bottom – up»: coulomb blocade and single-electron nanotransistor on benzene molecule

Кругляк¹

2016

ScienceRise

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Явление кулоновской блокады в одноэлектронике рассмотрено в концепции «снизу-вверх» наноэлектроники. Диаграмма зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады рассчитана из первых принципов. Энергии заряжания молекулы вычислялись квантовомеханически по теории функционала плотности, взаимодействие молекулы с окружающей ее средой в реалистической модели транзистора учитывалось самосогласовано Ключевые слова: нанофизика, наноэлектроника, молекулярная электроника, одноэлектроника, кулоновская блокада, одно-электронный транзистор Coulomb blocade in singlelectronics is discussed under the «bottom-up» approach of modern nanoelectronics. The first-principle methods for calculating the charging molecular energies and charge stability diagram of the benzene molecule single-electron transistor under the Coulomb blockade regime were applied using the densityfunctional theory for modeling molecular properties and continuum model to describe single-electron transistor environment as well as a self-consistent approach to treat the interaction between the molecule and the environment

show abstract

unclassified

Nanoelectronics «bottom – up»: coulomb blocade and single-electron nanotransistor on benzene molecule

Кругляк¹

2016

ScienceRise

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

«Bottom – up» nanoelectronics: the hall effects, measurement of electrochemical potentials and spin transport in the NEGF model

Cited by 1 publication

References 34 publications

Nanoelectronics «bottom – up»: coulomb blocade and single-electron nanotransistor on benzene molecule

Nanoelectronics «bottom – up»: coulomb blocade and single-electron nanotransistor on benzene molecule

Contact Info

Product

Resources

About