Calculation of the g‐shift and superhyperfine structure tensor of Mn²⁺ ion in A_IIB_VI tetrahedral semiconductors

Abstract

Multiple scattering method is used to obtain wave functions and energy levels of the 17-ntom cluster MnB,A,,. The influence of all other atoms of the crystal is assumed to produce an additional constant potential only. At the Mn site, the correction to the potential is introduced to give most probable values of the cubic field splitting parameter A . For these values of A , the g-shift and superhyperfine structure tensor are calculated and compared with experimental data.Die Methode der Vielfachstreuung wird benutzt, um Wellenfunktionen und Energieniveaus des 17-atomigen Clusters MnB,A,, zu erhalten. Der EinfluB aller anderen Atome des Kristalls wird nur als zusatzliches konstantes Potential angenommen. An den Mn-Platzen wird eine Korrektur zum Potential eingefuhrt, die die wahrscheinlichsten Werte des kubischen Anfspaltungsparameters d ergibt. Fur diesen Wert von A werden die g-Verschiebung und der Tensor der Superhyperfeinstruktur berechnet und mit experimentellen Werten verglichen.

Electronic Structure of Transition Metal Impurities in Zinc Sulphide

“…The molecular cluster model within the framework of the multiple-scattering method (MSM) [5, 61 was especially effective for the study of transition-metal impurities in semiconductors. This technique was used to calculate the electronic structure of 3d transition-metal impurities in silicon [7, 81, gallium arsenide 19, 101 and zinc sulphide [G, 11,121.…”