Caractéristiques électriques de diodes Au-Si(N) réalisées après irradiation par laser

Abstract

On a préparé des diodes Schottky par dépôt d'une électrode d'or sur du silicium de type N dont la surface avait préalablement été irradiée par une impulsion lumineuse brève issue d'un laser à rubis. L'augmentation de l'énergie des impulsions au-delà d'un seuil situé aux environs de 0,7 à 0,8 J/cm 2 provoque une forte dégradation des caractéristiques électriques des diodes, la réduction de la barrière de potentiel au contact or-silicium et l'accroissement du facteur d'idéalité. Les mesures de capacité montrent que le recuit par laser introduit, dans une zone superficielle du silicium, une forte densité de défauts de type donneur dont on a pu, par décapages successifs de la surface, déduire le profil de distribution pour une irradiation effectuée à l'énergie de 1,45 J/cm2. La guérison de ces défauts par un recuit thermique permet de rétablir en partie les propriétés des contacts or-silicium

Modifications des caractéristiques électriques de contacts métal-silicium par bombardement d'ions argon de faible énergie

“…Enfin, élargissant encore notre comparaison à d'autres traitements de surface du Si-n, nous relevons qu'un impact de laser produit également de mauvaises diodes [25]. Il s'agit de diodes préparées par métallisation (Au) de Si-n ayant été irradié par une impulsion de laser à rubis.…”

“…Il s'agit de diodes préparées par métallisation (Au) de Si-n ayant été irradié par une impulsion de laser à rubis. L'augmentation de l'énergie des impulsions provoque une dégradation des caractéristiques I(V) semblable à celle observée pour le bombardement ionique : diminution de Ro, de 4JB, augmentation du facteur n. Cette dégradation est due à une forte densité de niveaux donneurs (atteignant 6 x 1017 cm-3 à la surface) dont la distribution en fonction de la profondeur peut être approximée par une exponentielle [25]. Le bombardement électronique pulsé (PEBA) entraîne des effets similaires [26].…”