Caracterização de dosímetros semicondutores para dosimetria in Vivo na técnica de TBI

Abstract

A técnica de irradiação de corpo inteiro (TBI) é considerada uma técnica de alta a complexidade em radioterapia já que exige campos alargados. Os esquemas de cálculo para fazer a determinação exata da distribuição da dose no TBI são complexos e variações na posição do paciente alteram dramaticamente as distribuições de dose. Sendo assim é desejável ter uma técnica de medição in vivo disponível. Os diodos semicondutores são robustos, relativamente baratos e fornecem leituras on-line para inferência imediata de dose o que é uma grande vantagem em comparação com o processo de reaquecimento prolongado requerido para um dosímetro termoluminescente (TLD). O objetivo deste trabalho é a caracterização e validação do diodo semicondutor (T600010L PTW) para utilização em medidas in vivo, e em tempo real, da dose liberada em um tratamento de irradiação de corpo inteiro. Os dosímetros devem ser caracterizados e calibrados para sua utilização na técnica em questão. Sendo assim foi feito o estudo da reprodutibilidade, da linearidade e da dependência da resposta dos diodos com a taxa de dose, com a distância fonte-detector (SSD) e com o ângulo de incidência do feixe de radiação. A calibração dos diversos diodos foi realizada por intercomparação com uma câmara de ionização Farmer e sua verificação foi feita com a simulação de um tratamento em um phantom antropomórfico RANDO®. Uma vez que o dosímetro mostrou-se adequado e com variações menores que 1%, estabeleceram-se limites de ação para dosimetria in vivo de acordo com a região a ser tratada e levando em conta fatores de incertezas que não são intrínsecos ao detector. O valor máximo encontrado para o limite de ação foi de 9,6% na região do joelho.