Caracterización experimental de resistencias integradas nano-CMOS a temperatura criogénica

Abstract

Este trabajo estudia el comportamiento de resistencias integradas en tecnología CMOS en un rango de temperaturas que abarca de temperatura ambiente hasta ultra-baja temperatura (4 K). Se demuestra que el coeficiente de temperatura α no puede ser aproximado de forma lineal aun cumpliendo la condición de aproximación (αΔT<<1) para temperaturas criogénicas.