Carbon content influence on the optical constants of hydrogenated amorphous silicon carbon alloys

Effect of Thermal Annealing on the Optical and Structural Properties of the a-SiC Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering

“…While this band is narrower and intense at 800 °C and broader and less intense at 700 °C, one conger confused when it comes to rocking modes (wagging) and rotation (rocking) of C-H n groups between 950 and 1050 cm -1 ; especially with the increase in the intensities following the annealing temperature. The peak at 1100 cm -1 corresponds to the optical transverse elongation (TO) of Si-O bonds in a carbide environment [11].The bond at 1590 cm -1 is due to aromatic stretching mode of C=C [12], whereas the bond at 620 cm -1 is due to crystalline mode (c-Si) [13]. The peak at 2100 cm -1 is attributed to the elongation of Si-H mode where The infrared absorption spectra of the: (A) E0 sccm sample, (B) E3.5 sccm sample annealed at 500, 600, 700 and 800 °C for 60 min.…”

Optical properties of Se or S-doped hydrogenated amorphous silicon thin films with annealing temperature and dopant concentration

“…For the past few years hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films have been the subject of extensive studies due to their efficient optical and electrical properties, which allow them to be used in a variety of fields, such as photovoltaic solar cells [1][2][3][4], large area arrays of electronic devices [5], photosensors for the detection of bio-molecules [6,7], micro-electro-mechanical systems (MEMSs) [8,9], gas sensors [10,11], pixel detectors for high energy particles [12,13], optical imaging [14], photodetectors [15] and so on. Hydrogenated amorphous silicon thin films and its alloys are promising candidates for the realization of advanced opto-electronic devices.…”

Lézerrel kezelt szilícium felületek, valamint impulzuslézeres rétegépítéssel előállított amorf szilícium és SixC vékonyrétegek ellipszometriai vizsgálata

“…Az ilyen változó összetételű rétegeknek is több alkalmazása lehet, pl. vékonyréteg tranzisztorok, napelemek, fotodetektorok [38,[48][49][50][51].…”

“…A nem sztöchiometrikus szilícium-szén rétegeket leggyakrabban PECVD-vel állítják elő [38,39,50,52,53]. A rétegek tulajdonságai a kísérleti paraméterek változtatásával szabályozhatók [38].…”

“…A leggyakrabban azonban oszcillátor modelleket használnak, pl. Lorentz-modellt [50], Forouhi-Bloomer-modellt [101], vagy Tauc-Lorentz-modellt [48,50,52,55]. A publikációk nagy része a szilícium-szén rétegek tulajdonságait az összetételtől vagy a hőmérséklettől függően vizsgálja.…”