Characteristics of traps in TlInS2 single crystals

Band gap and refractive index tunability in thallium based layered mixed crystals

“…In view of their possible applications in optoelectronic devices in the visible range, a great deal of attention has been devoted to the study of the optical and photoelectrical properties of TlGaS 2 , TlGaSe 2 , and TlInS 2 crystals. [4][5][6][7][8][9][10][11][12] They are of significant interest because of their highly anisotropic properties, semiconductivity, and photoconductivity. Moreover, they exhibit nonlinear effects in I-V characteristics (including a region of negative differential resistance), switching and memory effects.…”

The Franz–Keldysh effect in the optical absorption spectrum of a TlGaSe2 layered semiconductor caused by charged native defects

“…Three maxima at ∼98.5 K, ∼119.5 K, and ∼129 K, and a shoulder at ∼140 K emerged. To evaluate the activation energy of traps from the obtained experimental TSC spectra, a curve fitting method based on the slow retrapping model was introduced [20,21,[46][47][48][49][50][51][52][53][54][55]. The following equation is used to describe the complete lineshape of i TSC as a function of temperature [46][47][48][49][50][51][52][53][54][55]:…”

“…where A ∼ 2 mm 2 is the electrode's effective area, V = 7 V is the applied dc bias voltage, and d ∼ 3 mm is the distance between the electrodes. In equation ( 7), i γ TSC is the current contribution from the γth TSC peak, which can be calculated from the equation given as follows [20,21,[46][47][48][49][50][51][52][53][54][55]:…”

“…A relationship connects the temperature T and time t: dT = βdt. The attempt-to-escape frequency is related to the capture cross section of the γth trap (S tγ ) via the expression [20,21,[46][47][48][49][50][51][52][53][54][55]:…”

Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Исследования изоструктурных кристаллов TlGaSe 2 [3][4][5] и TlInS 2 [6][7][8][9][10][11] показали принципиальную возможность и перспективность фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS [12]) в изучении электрически активных дефектов в сегнетоэлектрикахполупроводниках. Изменения с температурой термоэмиссии неравновесного заполнения центров локализации заряда (ЦЛЗ) в кристалле TlInS 2 , регистрируемые в области температуры сегнетоэлектрического состояния кристалла, хорошо сопоставимы с зависимостью от температуры его поляризационных характеристик [8,9], пироэлектрического тока [10], скорости распространения ультразвука в кристалле [11], а также результатами термостимулированной проводимости [13,14]. Вместе с тем процессы термоэмиссии в сегнетоэлектриках-полупроводниках имеют и свои особенности.…”