Clusters of Defects as a Possible Origin of Random Telegraph Signal in Imager Devices: a DFT based Study

Caractériser les cinétiques des diffusions atomiques - ART : l’explorateur de surfaces d’énergie potentielle

“…L'algorithme ARTn a déjà montré ses capacités d'exploration de PES associées à une large variété de systèmes décrits par des potentiels empiriques tels que les impuretés [8], les molécules [9], les matériaux amorphes [10,11,12,13], ainsi que l'agrégation et la flexion des protéines [14,15]. Couplé à des calculs des forces via l'ab initio et notamment la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT pour Density Functional Theory en anglais), il a montré son efficacité sur des nanoparticules [9], la croissance de matériaux (oxydation [16] et siliciuration [17]), la reconstruction de surfaces [9], la diffusion sur des surfaces [18] ou encore pour comprendre les structures métastables de défauts dans les cristaux [3,19,20,21]. Utilisé dans un code Monte Carlo cinétique, il permet, par exemple, d'étu- dier le vieillissement à long terme des défauts intrinsèques [22,23,24,25], et post-irradiation [26,27] dans les cristaux.…”

“…Cette simulation a été réalisée avec un potentiel empirique généré par apprentissage automatique dans une supercellule de 216 atomes. Pour vérifier la stabilité de la structure amorphe obtenue après la trempe, chaque atome a été choisi à tour de rôle et un déplacement aléatoire lui a été imposé ainsi qu'à ses premiers voisins pour passer au-dessus de la ligne d'inflexion [31] permet de démarrer d'une structure interpolée plus réaliste en évitant les collisions, ou encore la possibilité de calculer analytiquement le vecteur propre sans passer par Lanczos dans le cas de réactions symétriques [20].…”

A Fokker–Planck-based Monte Carlo method for electronic transport and avalanche simulation in single-photon avalanche diodes

“…Being able to accurately predict low breakdown probability areas is as well mandatory to simulate dark count rate precisely. Indeed, small areas can have a massive contribution to dark count due to localized clusters of defects with high Shockley-Read-Hall (SRH) generation rate [47]. This can be particularly the case in the near contact region (top left of figure 6) that are processed by means of heavily doped implant, that can lead to clusters of extending defects likely to enhance SHR generation rate.…”