CO2 laser annealing of ion–implanted silicon

Celler, George K.; Borutta, R.; Brown, W. L.; Poate, J. M.; Rozgonyi, G. A.; Sheng, T. T.

doi:10.1063/1.31684

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“…However, under such conditions the energy density 'window' for controlled annealing is very narrow and the surface of the material is often damaged with even small excursions in energy density above the annealing threshold. This is the situation for COz laser (10 p m ) annealing of crystalline Si, although improvement in control of the process can be achieved by moderate heating of the sample to promote free-carrier generation and initiate stable radiation absorption (Celler et al 1979).…”

Section: Experimental Techniquementioning

confidence: 99%

Transient annealing of semiconductors by laser, electron beam and radiant heating techniques

Cullis¹

1985

Rep. Prog. Phys.

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The annealing of semiconductors is of critical importance for successful electronic device fabrication. The present review surveys the new field of transient annealing and covers all timescales below those available with the conventional furnace. The work outlined includes the use of techniques which rely upon transient energy deposition in semiconductors from laser, electron beam, ion beam and other radiant sources. The many advances which have been achieved using these transient annealing methods in both fundamental and applied areas of physics are described.

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Section: Experimental Techniquementioning

confidence: 99%

Transient annealing of semiconductors by laser, electron beam and radiant heating techniques

Cullis¹

1985

Rep. Prog. Phys.

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“…Le schéma d'une installation expérimentale est représenté sur la figure 11. Le laser ,C02 est également employé quelquefois [85][86][87] ; dans ce cas l'absorption de la lumière ne se fait que pair porteurs libres et varie très fortement avec la température [87]. [Principle of the set-up used for continuous laser beam annealing with focus and scanning over the sample.]…”

Section: Nouvel éTat Stable : Structure Cristalline-unclassified

Emploi de lasers dans la technologie des photopiles

Müller¹,

Siffert²

1980

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Dans cet article on passe en revue les différentes applications des lasers de puissance continus ou impulsionnels dans la technologie des cellules solaires à base de silicium. On considère tout d'abord les différents modèles développés pour calculer les effets de ces flux lumineux intenses sur le silicium ; puis, on analyse les possibilités d'emploi de ces dispositifs pour préparer des films autosupportants ou des couches sur substrat. Finalement, trois méthodes de réalisation de la jonction sont décrites : activation de dopants diffusés, implantation ionique conventionnelle ou simplifiée et dépôt de films en surface

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