Comparison of oxygen vacancy defects in crystalline and amorphous Ta2O5

Enhanced oxygen vacancy diffusion in Ta2O5 resistive memory devices due to infinitely adaptive crystal structure

“…Our calculated migration barriers are in agreement with recently reported experimental and simulation results. A recent first principle study of amorphous Ta 2 O 5 44 found that the diffusion barrier of oxygen vacancies in the optimum charge state varies from 0.3 to 1.0 eV, which covers our results for þ2 charged state of 0.38 eV for in-plane and 0.75 eV for inter-plane migration. Using isotope oxygen tracers, Nakamura et al 38 measured an average oxygen atom diffusion barrier of 1.2 6 0.1 eV in amorphous Ta 2 O 5 .…”

Influence of post-deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films

“…It is evident that F1273 exhibits a series of small reflections along the whole pattern that match the reference pattern PDF 025-0922. It is important to underline that so far there has not been a consensus regarding the spatial symmetry of these two phases, and, due to the overlapping of several peaks, one cannot rule out the coexistence of both phases 21,[29][30][31][32][33][34][35][36] .…”

Оптические свойства нестехиометрического оксида тантала TaO-=SUB=-x-=/SUB=- (x < 5/2) по данным спектроэллипсометрии и комбинационного рассеяния

“…Расчеты осуществлялись для орторомбической фазы λ-Ta 2 O 5 , поскольку для этой кристаллической модификации электронная структура объема, а также вакансий кислорода такие же, как для аморфного оксида тантала [13,14] формируется преимущественно электронами Ta 5d с заметным вкладом Ta 6s и Ta 6p. Расчетный спектр предсказывает возможность оптических переходов на вакансии О с энергиями 4.5 и 4.65 eV с уровня дефекта в запрещенной зоне на Ta 6p/Ta 6s-и Ta 5d-состояния в зоне проводимости соответственно.…”