2023
DOI: 10.3390/cryst13030528
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Complex Assessment of X-ray Diffraction in Crystals with Face-Centered Silicon Carbide Lattice

Abstract: X-ray diffraction analysis is essential in studying stacking faults. Most of the techniques used for this purpose are based on theoretical studies. These studies suggest that the observed diffraction patterns are caused by random stacking faults in crystals. In reality, however, the condition of randomness for stacking faults may be violated. The purpose of the study was to develop a technique that can be used to calculate the diffraction effects of the axis of the thin plates of twin, new phases, as well as o… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

0
3
0
11

Year Published

2023
2023
2024
2024

Publication Types

Select...
8

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 15 publications
(20 citation statements)
references
References 32 publications
0
3
0
11
Order By: Relevance
“…Each of these samples underwent comprehensive analysis, encompassing determinations of total organic carbon (TOC) content as well as major and trace element concentrations. Moreover, a subset of 21 samples was subjected to a more detailed assessment using X-ray diffraction (XRD) [51], scanning electron microscopy-cathodoluminescence (SEM-CL), and helium porosimeter. The methodologies employed throughout this study mirror those applied in our previous studies, with a detailed description being included in these references [52,53].…”
Section: Sampling and Methodologymentioning
confidence: 99%
“…Each of these samples underwent comprehensive analysis, encompassing determinations of total organic carbon (TOC) content as well as major and trace element concentrations. Moreover, a subset of 21 samples was subjected to a more detailed assessment using X-ray diffraction (XRD) [51], scanning electron microscopy-cathodoluminescence (SEM-CL), and helium porosimeter. The methodologies employed throughout this study mirror those applied in our previous studies, with a detailed description being included in these references [52,53].…”
Section: Sampling and Methodologymentioning
confidence: 99%
“…Использование сканирующей электронной микроскопии в качестве вспомогательного метода к оптической микроскопии уже многие десятилетия успешно применяется для исследования C-Mn и низколегированных металлов сварных швов, главным образом при оценке уточненной микроструктуры. Недавно, в дополнение к ранее упомянутым методам, дифракция обратного рассеяния электронов (EBSD) также была использована для обеспечения более эффективной аналитической процедуры [49][50][51][52][53][54][55][56][57][58][59][60][61]. Этот метод, который дает ценную информацию о границах зерен, полезен для уточненных микроструктур с целью подтверждения таких составляющих, как игольчатый феррит, бейнит и мартенсит.…”
Section: методы исследованийunclassified
“…Даже для одного и того же класса допустимый диапазон прочности находится в большом интервале варьирования. Тем не менее исследования показали, что критический коэффициент согласования прочности, удовлетворяющий требованиям деформации, не зависит от прочности трубы [39][40][41][42][43][44][45][46][47][48][49][50]. Таким образом, требования к прочности на растяжение металла сварного шва должны быть очень высокими, если верхний предел прочности трубы используется для установки требований прочности к металлу сварного шва, особенно если несоосность труб от высокой до низкой и кажущаяся вязкость разрушения установлены консервативно [39,40,[45][46][47][48][49][50].…”
Section: влияние скорости охлаждения на сварку трубunclassified
“…Требование к прочности по-прежнему трудно выполнить в практической плоскости при проектирования трубопроводов с учетом имеющихся в настоящее время методов сварки и других ограничений [39][40][41][42][43][44][45][46][47][48][49][50].…”
Section: влияние скорости охлаждения на сварку трубunclassified
See 1 more Smart Citation