Composition and local atomic environment in As₂Se₃ films and their changes under the coherent radiation

Abstract

Методами рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, Раман-та поверхнево підсиленої Раман-спектроскопії досліджена структура ближнього та середнього порядку приповерхневих наношарів та об'єму тонких плівок а-As 2 Se 3 при нормальних умовах та її зміни під дією лазерного опромінення з енергією фотонів, близькою до ширини забороненої зони. Проаналізовані форма і енергетичне положення фотоемісійних піків As 3d та Se 3d аморфних та опромінених лазером плівкок а-As 2 Se 3 . Виявлені і описані відмінності у інтенсивності компонент піків, стимульовані лазерним опроміненням. Ключові слова: рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, Раман-спектроскопія, аморфна плівка, лазерне опромінення, структурні одиниці.