CORRELATION BETWEEN THE SIZE OF THREE-DIMENSIONAL NANOCLUSTERS AND <i>C-V</i> CHARACTERISTICS

Kovalevskii, A. A.; Строгова, А. С.; Strogova, N. S.; Babushkina, N. V.

doi:10.1142/9789814460187_0154

Cited by 1 publication

(2 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В результате проведенных исследований установлено, что влияние примесей редкоземельных элементов-лантаноидов на свойства тонких (0,5-2,0 мкм) пленок наноструктурированного кремния (НСК) определяется положением атомов или ионов лантаноидов в решетке кремния и тем, какое взаимодействие на эту решетку они оказывают [15]. Так как атомы и ионы лантаноидов имеют больший размер по сравнению с атомами и ионами кремния, они вызывают деформацию кристаллической решетки кремния в пленках НСК.…”

Section: методика проведения экспериментаunclassified

“…Так как атомы и ионы лантаноидов имеют больший размер по сравнению с атомами и ионами кремния, они вызывают деформацию кристаллической решетки кремния в пленках НСК. Эта деформация определяется величиной упругой энергии лантаноидов в решетке кремния [15].…”

Section: методика проведения экспериментаunclassified

See 1 more Smart Citation

Temperature resistance coefficient of doped with rare earth elements nanostructured silicon films

Строгова

2021

Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki

View full text Add to dashboard Cite

The regularities of changes in the concentration of an electrically active dopant in a nanostructured silicon film by changing the electrical resistivity depending on the doping conditions were investigated. The dependences of the changes in the obtained structures doped with rare-earth elements, such as La, Eu, Sm, Dy, Gd (lanthanides), on nanostructured silicon films are determined. The regularities of the obtained films changes and the temperature coefficient of resistance (TCR) change depending on the formation conditions are established. The regularities of the TCR are shown depending on the selected conditions for doping or non-doping of nanostructured silicon films with various impurities. It is shown that the main conditions under which the effect and change in the temperature coefficient of resistors resistance on thin films using rare-earth elements, such as oxygen, boron and phosphorus in the bulk of the film, is considered to be the temperature effect after deposition.

show abstract

Section: методика проведения экспериментаunclassified

Temperature resistance coefficient of doped with rare earth elements nanostructured silicon films

Строгова

2021

Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

CORRELATION BETWEEN THE SIZE OF THREE-DIMENSIONAL NANOCLUSTERS AND C-V CHARACTERISTICS

Cited by 1 publication

References 5 publications

Temperature resistance coefficient of doped with rare earth elements nanostructured silicon films

Temperature resistance coefficient of doped with rare earth elements nanostructured silicon films

Contact Info

Product

Resources

About