Charakt+xistische Wechselwirkungsmechanismen von Verbindungshalbleiter-Oberflachen mit reaktiven Gasen wurden am Modellsystem Zn0(1010)/0, untersucht fur 120 I T I 1000 K und verschiedene, thermodynamisch kontrollierte Oberflachenstrukturen. -Rekonstruktion und Punktdefekte bestimmen die geometrische und elektronische Struktur reiner Oberflachen. -Reversible Physisorption bei Temperaturen von 120-250K und Bedeckungsgraden 0 < lo-' fur Driicke P < 10-4Pa wird durch Adsorptionsisothermen und bedeckungsabhangige isostere Warmen charakterisiert. -Zwischen 300 und 650 K findet in Abwesenheit von Oberflichenpunktdefekten Chemisorption von 0; statt (0 c 2.5 . deren Energetik und Kinetik mit einfachen Elektronenubertragungs-Modellen quantitativ beschrieben werden kann. -Unter Sublimationsbedingungen (T > 700 K) tritt bevorzugte Desorption von 0, auf, wodurch thermodynamisch bestimmte Konzentrationen von Punktdefekten (wahrscheinlich Sauerstomiicken) an der Oberflache eingestellt werden, die zu drastischen hderungen der elektronischen Struktur fiihren. Bei nachfolgender Wechselwirkung mit Sauerstoff unter 700 K wird ein ausgepragter EinfluD dieser Punkdefekte auf Haftkoeflizienten und Elektroneniibertragungs-Raten gefunden. -Es zeigt sich, daD nur die gleichzeitige Anwendung unabhangiger Untersuchungsmethoden (AES, LEED, ESR, thermische Desorptionsspektroskopie, Isotopenaustausch sowie hderungen der Oberflachenleitfahigkeit und Austrittsarbeit) zu eindeutigen Ergebnissen fiihrt. Dies ermoglicht die Separation von Chemisorptions-Prozessen und Reaktionen mit Punktdefekten bei Sauerstoff-Wechselwirkung und damit ein vertieftes Verstandnis der Elementarschritte bei der Oxidationskatalyse am ZnO.