Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Abstract

Импульсным электронным испарением в вакууме получены трехфазные (корунд + δ-фаза + аморфная фаза) аморфно-нанокристаллические порошки чистого и допированного углеродом Al 2 O 3 (x C = 1.07−6.6 wt.%). Размер гексагональных нанокристаллов корунда в нанопорошке Al 2 O 3 −C (x C = 1.07 wt.%) составлял около 5 nm. Граница растворимости углерода в решетке Al 2 O 3 находилась ниже 1.07 wt.% С. Установлена зависимость формы катодолюминесцентных спектров и фазового состава полученных нанопорошков Al 2 O 3 и Al 2 O 3 −C от материала испаряемой мишени. Обнаружено отсутствие R-линий от примесных ионов Cr ВведениеСовременные исследования ферромагнетизма в низ-коразмерных структурах (тонких пленках, покрытиях, наночастицах (НЧ), нанопорошках (НП) и др.) чи-стых и допированных немагнитными элементами окис-лов показали ФМКТ c ясной петлей гистерезиса при температуре 390 K и удельной намагниченностью при 300 K около 3.5 · 10 −3 emu/g. Тонкие пленки оксида алюминия благодаря лучшей стабильности и высокой диэлектрической проницаемости широко используются в спинтронных приложениях и в будущем могут стать заменой традиционного полупроводника SiO 2 в устрой-ствах MOП (металл−оксид−полупроводник) и в других областях [19].Расчеты из первых принципов (ab initio) показали, что ферромагнетизм в Al 2 O 3 может быть индуцирован за счет допирования углеродом Al-и O-узлов решетки, в которых спиновые плотности локализуются в основном на С-допанте [20]. Допирование углеродом в узлах Al приводит к сужению запрещенной зоны и значительно изменяет потолок валентной зоны, хотя допирование С в узлах О действует на краях запрещенной полосы слабо.Однако

Структура и свойства пленок SiO-=SUB=-x-=/SUB=-, полученных химическим травлением лент аморфного сплава

“…Поскольку пленка SiO x получена методом химического травления с участием различных химических реакций в травителе, содержащем ионы OH − , линия отражения с максимумом 949 cm −1 , по-видимому, связана с ко-лебаниями связи Si−(OH). В пользу такого отнесения свидетельствуют результаты работ [12,13]. В спектре отражения исходной пленки в области ее прозрачно-сти (ν > 1300 cm −1 ) наблюдается минимум в области 2800−3850 cm −1 , характерный для спектра пропускания (см.…”