Decorated vacancy clusters in Si and thin C films grown on Si studied by depth profiling positron annihilation spectroscopies

Abstract

The combined use of different depth profiling positron annihilation spectroscopies give insight on distribution, type and decoration of open‐volume defects. Applications regarding defects produced in modified silicon and at the interface between deposited thin films and the silicon substrate are presented. The attention is focused on selected systems and situations potentially related to technological developments: a) identification of decorated vacancy clusters in silicon implanted by light‐ion (He, He+H) and evolution of the clusters with the thermal treatments; b) release of compressive stress through vacancy‐like defects formation at the interface during the growth of thin (10‐200 nm thick) carbon films. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Caracterización de nanoestructuras sub-superficiales utilizando espectroscopía de aniquilación de positrones

“…En consecuencia, la aniquilación de positrones con electrones de alto momentum, es decir con electrones de las últimas capas del carozo iónico, se refleja en las "colas" del pico de aniquilación de 511keV. En un sólido, los electrones pertenecientes al carozo iónico mantienen las características atómicas [13] por lo tanto, la señal correspondiente a la aniquilación de positrones con electrones del carozo iónico puede ser utilizada para obtener información sobre las especies químicas que rodean el sitio de aniquilación [11,14]. La probabilidad de aniquilación de positrones con estos electrones es muy baja ya que los positrones son repelidos por el carozo iónico y, por lo tanto, su señal es comparable a la del fondo (background).…”