Defect structure of the high-dielectric-constant perovskite<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ca</mml:mi><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">Cu</mml:mi><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">Ti</mml:mi><mml:mn>4</mml:mn></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mn>12</mml:mn></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

Wu, Lijun; Zhu, Yimei; Park, S.; Shapiro, S. M.; Shirane, G.; Taftø, J.

doi:10.1103/physrevb.71.014118

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“…It is also noted that the structure model proposed by Wu et al 9 is consistent with the result of Ti-for-Cu substitution in GB layers. The planar defect model involves a lattice shift R = 1 4 ͓110͔.…”

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“…1 A structural model of planar defects due to a twining parallel to ͕100͖ planes was recently proposed, 8 yet it needs further experimental support. According to a detailed transmission electron microscopy investigation, 9 such twin domains could not be detected in single crystals or polycrystallines; instead, high density of dislocations and cationdisorder-induced planar defects were observed. Very recently, x-ray diffraction under extremely high hydrostatic and uniaxial compression suggested that CCTO ceramics were composed of grains with stiffer shells and softer cores.…”

mentioning

confidence: 99%

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Ti-rich and Cu-poor grain-boundary layers of CaCu3Ti4O12 detected by x-ray photoelectron spectroscopy

Wang

Zhang

et al. 2007

Applied Physics Letters

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Cleaved and polished surfaces of CaCu 3 Ti 4 O 12 ceramics have been investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX), respectively. While EDX technique shows the identical CaCu 3 Ti 4 O 12 stoichiometry for the two surfaces, XPS indicates that the cleaved surface with grain-boundary layers is remarkably Ti-rich and Cu-poor. The core-level spectrum of Cu 2p unambiguously shows the existence of monovalent copper only for the cleaved surface. Possible grain-boundary structure and its formation are discussed.

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Ti-rich and Cu-poor grain-boundary layers of CaCu3Ti4O12 detected by x-ray photoelectron spectroscopy

Wang

Zhang

et al. 2007

Applied Physics Letters

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“…Perovskite-based materials form an important class of dielectric compounds since some can exhibit very high permittivity values that prompted numerous studies into the development of useful devices for microelectronics [1][2][3][4]. Indeed, high permittivity values in ceramics are essential for commercially used thermistors, capacitors and memory devices [5,6].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structural characterization of dense reduced BaTiO3 and Ba0.95La0.05TiO3 nanoceramics showing colossal dielectric values

Valdez-Nava

Tenailleau

Guillemet‐Fritsch

et al. 2011

Journal of Physics and Chemistry of Solids

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Solids, doi:10.1016Solids, doi:10. /j.jpcs.2010 This is a PDF file of an unedited manuscript that has been accepted for publication. As a service to our customers we are providing this early version of the manuscript. The manuscript will undergo copyediting, typesetting, and review of the resulting galley proof before it is published in its final citable form. Please note that during the production process errors may be discovered which could affect the content, and all legal disclaimers that apply to the journal pertain.

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“…Varios investigadores han propuesto teorías o modelos relacionados la presencia de bordes de grano, de defectos intrínsecos (vacancias de oxígeno) presentes en "twin boundaries" [5] o defectos planares [6][7] dentro del material o de barreras en la interfase existente entre la superficie entre la muestra y el electrodo. Sin embargo, la explicación del fenómeno es aun investigada.…”

Section: Introductionunclassified

“…En el caso de monocristales la presencia de tales estructuras en capas es altamente controversial, aunque recientemente se ha propuesto que los defectos en la estructura presentan capas que actúan de forma similar al IBLC [9][10]. No obstante, la naturaleza de las barreras propuestas no ha sido totalmente determinada.…”

Section: Introductionunclassified

Comportamiento dieléctrico de cerámicos de CaCu3Ti4O12

Ramajo¹,

Reboredo²,

Castro³

2011

Bol. Soc. Esp. Ceram. Vidr.

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En este trabajo se prepararon cerámicos basados en CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO) por reacción en estado sólido a 900°C y posterior sinterizado a 1100°C. Mediante difracción de rayos X (DRX) se comprobó la presencia de CCTO. A través de espectroscopía Raman se observó la presencia de una fase secundaria rica en CuO. Las mediciones de espectroscopía de impedancia demostraron que este material presenta una constante dieléctrica mayor a 13.000ε 0 en el intervalo comprendido entre 25 y 10 6 Hz. Este valor es atribuido a la presencia de mecanismos de polarización de carga espacial y dipolar. Palabras claves: CaCu 3 Ti 4 O 12, propiedades dieléctricas. Dielectrical behaviour of CaCu 3 Ti 4 O 12 ceramicsIn this work, CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO) ceramics were prepared by solid state reaction at 900°C for 12 h and sintered at 1100°C during 3 h. The main phase detected through X-ray diffraction (XRD) was CCTO. Also, by means of Raman spectroscopy, it was observed a secondary phase rich in CuO. A dielectric constant higher than 13.000ε 0 was obtained by Impedance spectroscopy measurements in the range between 25 to 10 6 Hz. The value could be explained by the effect of dipolar and space charge polarization processes.Keywords: CaCu 3 Ti 4 O 12, dielectric properties. INTRODUCCIÓNLa reducción de las dimensiones de los componentes electrónicos, tanto pasivos como activos, genera en la industria la necesidad de contar con materiales de elevada constante dieléctrica, principalmente en la fabricación de dispositivos involucrados en sistemas de comunicación wireless, memorias RAM dinámicas y dispositivos de microondas [1][2][3]. En este sentido, la perovskita cúbica distorsionada de fórmula CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO) [4] presenta, en su forma policristalina, una muy elevada constante dieléctrica (>10.000ε 0 ). Estas propiedades, que se mantienen invariables en un amplio intervalo de temperaturas (100 y 600 K), permiten el uso de estos materiales en dispositivos ferroeléctricos o relaxores.El origen de la elevada constante dieléctrica de los cerámicos de CCTO aun no ha sido bien comprendido y no puede ser atribuida a una transición de fase, como en el caso de los cerámicos basados en titanato de bario. Varios investigadores han propuesto teorías o modelos relacionados la presencia de bordes de grano, de defectos intrínsecos (vacancias de oxígeno) presentes en "twin boundaries" [5] o defectos planares [6][7] dentro del material o de barreras en la interfase existente entre la superficie entre la muestra y el electrodo. Sin embargo, la explicación del fenómeno es aun investigada. Vol 50, 4, 207-212, Julio-Agosto 2011 ISSN 0366-3175. eISSN 2173-0431. doi: 10.3989/cyv.272011 Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y VidrioA partir de los resultados de espectroscopia de impedancia, se concluye que uno de los modelos que mejor explica el alto valor de la constante dieléctrica, tanto para muestras cerámicas como películas, es la formación de una estructura de Condensadores de Barreras Internas (IBLC) [8]. En el caso de monocristales la presencia d...

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Defect structure of the high-dielectric-constant perovskiteCaCu3Ti4O12

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Ti-rich and Cu-poor grain-boundary layers of CaCu3Ti4O12 detected by x-ray photoelectron spectroscopy

Ti-rich and Cu-poor grain-boundary layers of CaCu3Ti4O12 detected by x-ray photoelectron spectroscopy

Structural characterization of dense reduced BaTiO3 and Ba0.95La0.05TiO3 nanoceramics showing colossal dielectric values

Comportamiento dieléctrico de cerámicos de CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>

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