Deposition of Thin Y2O3:Eu Films by Radio-Frequency Sputtering

Abstract

The dependence of the deposition rate of thin Y 2 O 3 :Eu films during RF sputtering on the pressure and composition of the working gas is studied. The presence of the optimal pressure of the working gas, at which the deposition rate is maximal, is established. The influence of the Eu 3activator concentration on the deposition rate of thin films and the brightness of cathodoluminescence of thin Y 2 O 3 :Eu films is studied. The explanation of the obtained results is carried out within the limits of backscattering and back-diffusion effects, and special attention is paid to the resonant charge-exchange mechanism.Досліджено залежність швидкости нанесення тонких плівок Y 2 O 3 :Eu за ВЧ-розпорошення від тиску та складу робочого газу. Встановлено наявність оптимального тиску робочого газу, за якого швидкість нанесення є максимальною. Досліджено вплив концентрації активатора Eu 3 на швидкість нанесення тонких плівок і яскравість катодолюмінесценції тонких плівок Y 2 O 3 :Eu. Пояснення одержаних результатів проводиться в межах ефектів зворотнього розсіяння, зворотньої дифузії, а особлива увага приділяється механізму резонансної перезарядки.