Depth profile of the microhardness in helium implanted GaP

Abstract

Depth profiles of the daniage density and the iiiicrohardness are measured in GaP single crystals implanted with 1 MeV heliuni ions. From an analysis of tlie experimental data i t follows that the rnicroliardness increases up to a darnage density of about 16% due to point defect hardening. At higher damage densities the rnicroliardness decreases rapidly, probably due to the formation of extended defects.Die Tiefenprofile der Defektdiclite und der Mikroliarte wurden fur init 1 MeV Heliumionen implantierte QaP-Einkristalle gemessen. Aus einer Analyse der experimentellen Daten folgt, dafi die Mikrohiirte bis zu einer relativen Defektdichte von etwa 16% infolge von Punktdefekthiirtung ansteigt. Bei hiiheren Defektdichten fiillt die Mikroharte steil ab, walirscheinlich infolge der Bildung ausgedehnter Defekte.