Desenvolvimento de heterojunções >i<n>/i<-BiVO>sub<4>/sub</>i<p>/i<-FeMO>sub<x>/sub< (M = Ni, Co e Mn) por pulverização catódica: elucidação da estrutura eletrônica e alinhamento interfacial de bandas na fotoeletrólise da água

Abstract

Agradeço ao meu orientador Prof. Dr. Renato Vitalino Gonçalves pela orientação e direcionamento durante o meu período de permanência no grupo de pesquisa.Agradeço ao Lucas Gabriel e Washington Santa Rosa, que foram fundamentais para o desenvolvimento deste trabalho. De forma especial pela dedicação e esforços sem os quais eu não teria conseguido finalizar a tese no período necessário. Em especial à amizade e suporte durante esse período.Agradeço também à Heloisa Ciol por ter sido minha primeira orientadora no IFSC e pela parceria mesmo após minha mudança de grupo de pesquisa.Agradeço também aos demais colegas de grupo NaCA e LAPNano, principalmente ao

Estudo do efeito da morfologia do ZnO e da formação de heteroestruturas entre o ZnO (tipo n) e o NiO (tipo p) na detecção de gases tóxicos

“…) 2 é a diferença de energias de ligação entre o nível de núcleo do semicondutor 2 e seu máximo da banda de valência, (E 1 CL − E 1 V ) 1 é a diferença entre as energias de núcleo do semicondutor 1 e sua banda de valência e (E 1 CL − E 2 C L) HJ é a diferença entre energias de ligação dos níveis de núcleo do semicondutor 1 e 2 medidos na heterojunção [66] . Uma representação das bandas de energia é apresentada na Figura 14.…”