Development of technology of multicharged ion implantation of GaAs for submicron structures of large-scale integrated circuits

Abstract

*Кафедра комп'ютерної інженерії і електроніки Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025 Розроблена технологія виготовлення іонно-легованих структур GaAs. Імплантація іонів кремнію, берилію, цинку проводилась в підкладку із напівізолюючого арсеніду галію марки АГЧП-2а. Імплантація домішки через капсулююче покриття дозволило отримати досить високі значення рухливості носіїв струму в каналах польового транзистора Шотткі (ПТШ), що дозволяє формувати на них КМОН-структури. Застосування багатозарядної імплантації та імпульсного фотонного відпалу для активації n +-областей витоку і стоку забезпечило рівень ретроградного легування стік-витокових контактів на рівні (2-5). 10 18 см-3 Ключові слова: багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p +-n перехід, варізонний сонячний елемент Разработана технология изготовления ионно-легированных структур GaAs. Имплантация ионов кремния, бериллия, цинка проводилась в подложку с полуизолирующего арсенида галлия марки АГЧП-2а. Имплантация примеси через капсулирующее покрытие позволило получить достаточно высокие значения подвижности носителей тока в каналах полевого транзистора Шоттки (ПТШ), что позволяет формировать на них КМОПструктуры. Применение многозарядной имплантации и импульсного фотонного отжига для активации n +-области истока и стока обеспечило уровень ретроградного легирования сток-истоковых контактов на уровне (2-5). 10 18 см-3 Ключевые слова: многозаядная ионная имплантация, арсенид галия, КМОП технология, транзистор Шоттки, p +-n переход, варизонный солнечный элемент