Diagnostics of γ-irradiated Si-SiO2 structures by the cathodoluminescence method

Baraban, A. P.; Дмитриев, В. А.; Petrov, Yu. V.; Timofeeva, K. A.

doi:10.1134/s1063782613130022

Cited by 9 publications

(1 citation statement)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…1) и Si−SiO 2 −TiO 2 были установлены пропорциональность интенсивности КЛ плотности тока и отсутствие зависимости вида спектрального распределения от плотности тока, толщины слоя TiO 2 и энергии возбуждающих электронов. В случае структур Si−SiO 2 −TiO 2 даже при энергии возбуждения КЛ 5 keV в спектре можно выделить полосы излучения, характерные для слоев SiO 2 , и элементы спектра КЛ слоя TiO 2 (интенсивность спектра КЛ от кремниевой подложки в этой области энергий пренебрежимо мала [12] и объясняет поглощение в УФ-области спектра, что указывает на его значительную толщину по сравнению с внешним слоем. Внешний слой характеризуется наличием высокой концентрации дефектов -центров люминесценции -и может иметь большую ширину запрещенной зоны.…”

unclassified

Катодолюминесценция слоев TiO-=SUB=-2-=/SUB=-, полученных методом молекулярного наслаивания

Baraban¹,

Селиванов²,

Дмитриев³

et al. 2019

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Use of the method of local cathodoluminescence in Si–TiO_2 and Si–SiO_2–TiO_2 structures helps to elucidate the nature of centers influencing the operation of memristors. These measurements showed that electroforming leads to the appearance of luminescence in a 250–400 nm wavelength range in the external part of TiO_2 layer characterized by high concentration of defects. This observation leads to a conclusion that a sharp interface is formed between dielectric layers of the structure, provides estimation of the absorption coefficient of TiO_2 layer, and allows its bandgap width (~3.3 eV) to be evaluated for the oxide layers formed by the given technology.

show abstract

unclassified