Die Herstellung von einkristallinen Dünnschichten aus Halbleitern mit ausgeprägter Anisotropie durch gerichtete Kristallisation der Schmelze zwischen zwei Substraten

Sandulova, A. V.; Gončarov, A. D.; Rudolph, P.; Thieme, W.; Chutorjanskij, L. D.; Ševčenko, W. Ja.

doi:10.1002/crat.19720070706

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“…Durch Modifizierung der bekannten Technik der gerichteten Kristallisation einer diinnen Schmelzschicht im engen Raum zwischen zwei dielektrischen Substraten (z.B. SEV~ENKO et al;SANDULOVA et al 1970SANDULOVA et al , 1972…”

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Heteroübergänge auf der Grundlage dünner Tellurschichten

Thieme¹,

Gončarov²,

Ševčenko

1976

Cryst Res and Technol

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Heteroiibergange auf der Grundlage dunner TellurschichtenEs wird die Zuchtung von Heterostrukturen durch gerichtete Kristallisation einer dunnen Schmelzschicht im engen Raum zwischen zwei fremdartigen Substraten untersucht. Als Modellmaterialien wurden fur die Diinnschicht Te, fur das Halbleitersubstrat Ge bzw. CdS ausgewiihlt. Untersuchungen zeigten, dalj sich nach dieser Methode abrupte CdS-Te-Ubergiinge zuchten lassen und sich die Ge-Te-Strukturen mit einem komplizierten Ubergangshereich ausbilden. Messungen bei 77 K wiesen fur die Strukturen CdS-Te und Ge-Te ausgepragte Photoeinpfindlichkeit und auf der I-T'-Kennlinie der Ge-Te-Strukturen Bereiche mit negativer Leitfahigkeit aus. ~c p~c~a n n~a a s m ToHKoro cnon pacnnasa B aaaope ivewny m y m miopoi[HbIm nounom-BJIH ~O J I~~~O B O H H H K O B~I X noznomeH -repMamfi PI cynb@m K a m n m . lIonyseHbI peam e reTeponepexonb1 CdS-Te. CTpymypa nepexoHHo3 06JIaCTH reTeponepexonoB cmTe-0 6 c y~q a 1 0~c n B03MOlfCHOCTLI BblpaIllHBaHItfl reTepOcTpyKTyp MeTOAOM HaIIpaBXeHHOfi KBMR. B KaYeCTBe MOAeJIbHblX MaTepHaJIOB 6b1m Bbl6paHbI: AJIH TOHKOrO CJIOH -TeJIJIYP, MbI Ge-Te FIBJIfleTCR CJIO?KHOfi & I CyIIIeCTBeHHO 3aBHCIIT OT YcJIOBHSi BbIpaUHBaHHR. reTepOIIepeXOflb1 Ge-Te II CdS-Te i#OTOYyBCTBHTeJIbHbI II Ha BOJIbTaMllepHO~ XapaIcTe-PHCTHKe reTepOCTpyKTyp Ge-Te npll T = 77 K HMeH)T MeCTO YYaCTKH C OTpHUaTeJlbHOfi ~H@@epeHQHaJIbHOfi ~pOBO~EIMOCTbI0.

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