Doping profiles of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-structures.

Abstract

Аннотация. В настоящей работе посредством вторичной ионной массспектрометрии изучается распределение атомов кремния в AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT-структурах с фоновым легированием, выращенных по технологии МОС-гидридной эпитаксии. Проведен сравнительный анализ C-V характеристик таких структур, с помощью электронной оже-спектроскопии изучено взаимодействие SiH 4 c поверхностью GaAs(001). Ключевые слова: вторичная ионная масс-спектрометрия, эпитаксия, pHEMTструктура.