The temperature dependence of dc resistivity and dielectric constant for single crystals as well as polycrystalline samples of NH,Cl, and NH,Br show anomalous behaviour in bot,h, the low and high temperature regions. Anomalies in the high temperature region are attributed to the reorientational motion of the NH; ion between two alternative orientations, while a freezing out of the reorientational motion in the low temperature region takes place. The rate of change of dc resistivity is found t.0 be higher than the rats of change of the dielectric constant with temperature. A comparison between the temperature behaviour of dc resistivity, dielectric constant, DTA and TMA data for single crystals and polycrystalline samples show that the activation energy is higher for single crystals. The values of the dc resistivity, and DTA and TMA areas are found to be higher in the case of single crystals as well.Die Tempernturabhlngigkeit der Gleichspannungsleitfahigkeit und der Dielektrizitatskonstante 7eigt sowohl fiirEinkrist,alle als auch fur polykristalline Proben von NH,CI und NH,Br anomales Verhalten soivohl im Bereich t.iefer als auch hoher Temperaturen. Anomalien im Hochtemperaturbereich werden der Reorientierungsbemegung der NH:-Ionen zwischen zwei Orientierungsmoglichkeiten zugeschrieben, wLhrend im Tieftemperaturbereich ein Ausfrieren der Reorientierungsbewegung stattfindet. Es wird gefunden, da13 die Anderungsrate der Gleichspannungsleitflihigkeit hoher ist als die Anderungsrate der Dielektrizitatskonstante mit der Temperatur. Ein Vergleich zwischen dem Temperaturverhalten der Gleichstromleitfiihigkeit, Dielektrizitatskonstante, DTAund TMA-Daten fur Einkristalle und polykristalline Proben zeigt, daB die Aktivierungsenergie fur Einkristalle hoher ist. Die Werte der Gleichstromleitfiihigkeit und der DTA-und TMA-Flachen sind im Falle von Einkristallen ebenfalls hoher.