DX centers in InxAl1−xAs

Abstract

The composition dependence of the energy levels of the DX centers in InxAl1−xAs/InyGa1−yAs heterostructures have been determined by means of Hall effect and persistent photoconductivity measurements made on gated Hall bar test structures, primarily in the indirect portion of the fundamental band gap of InxAl1−xAs. The energy of the DX center relative to the average of the main conduction band minima of the Brillouin zone, in the composition range, 0.1⩽x⩽0.34, is E(DX)∼0.3 eV; for x>0.4 the DX center is resonant with the conduction band.

A Universal Model for DX‐Center Binding Energy in Cubic III–V Compounds

“…Very similar results are obtained for other ternary and quaternary III-V alloys exhibiting direct/indirect bandgap transition: AlInAs [17,18] (Figure 2b), GaPAs [19,20] (Figure 2c), AlGaSb [21,22] (Figure 2d), and (Al x Ga 1-x ) 0.52 In 0.48 P lattice-matched with GaAs [23,24] (Figure 2e). In addition to ordinary levels of DXcenters (circles), those corresponding to the centers resonant with the conduction band (diamonds) are also shown in Figure 2b,d.…”

Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In-=SUB=-0.2-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.8-=/SUB=-As

“…Глубина квантовой ямы (КЯ) является одной из фундаментальных характеристик НЕМТ-структур, в PHEMT Al x Ga 1−x As/In y Ga 1−y As/GaAs определяется мольными долями в тройных твердых растворах AlAs (x) и InAs (y) и увеличивается с возрастанием x, y. В КЯ с высокой электронной плотностью, предназначенных для транзисторных применений, обычно ограничения выбора долей x и y обусловлены тем, что при x > 25% в легированном донорами кремния слое Al x Ga 1−x As часть электронов захватывается на DX-центры (ловушки) [4,5], а высокие значения y (y > 25−30%) ограничены переходом к неупругой релаксации псевдоморфно-напряженного слоя In y Ga 1−y As [6]. Литературные данные по положению DX-центров в InAlAs различаются [7][8][9], однако из-за большего разрыва зон в In x Al 1−x As/In x Ga 1−x As по сравнению с In x Al 1−x As/Al x Ga 1−x As влияние DX-центров на ионизацию должно быть меньше в структуре In x Al 1−x As/In x Ga 1−x As.…”