2012
DOI: 10.1038/ncomms1957
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Dynamic spin polarization by orientation-dependent separation in a ferromagnet–semiconductor hybrid

Abstract: Integration of magnetism into semiconductor electronics would facilitate an all-in-one-chip computer. Ferromagnet/bulk semiconductor hybrids have been, so far, mainly considered as key devices to read out the ferromagnetism by means of spin injection. Here we demonstrate that a mn-based ferromagnetic layer acts as an orientation-dependent separator for carrier spins confined in a semiconductor quantum well that is set apart from the ferromagnet by a barrier only a few nanometers thick. By this spin-separation … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
2

Citation Types

5
80
2
15

Year Published

2014
2014
2022
2022

Publication Types

Select...
6
1

Relationship

1
6

Authors

Journals

citations
Cited by 66 publications
(102 citation statements)
references
References 27 publications
5
80
2
15
Order By: Relevance
“…2 is a comparison of the calculated electron sheet density and spin polarization dynamics (10) with the time dependence of the PL observed in experiments 14,15 for two different spacer thickness d = 5, 10. In the calculation we used the following parameters: τ = 10 meV, τ d = 0.1 ps, E d = 47 meV, W e = 45 meV, ∆ = 2.5 meV.…”
Section: Comparison With Experimentsmentioning
confidence: 99%
See 2 more Smart Citations
“…2 is a comparison of the calculated electron sheet density and spin polarization dynamics (10) with the time dependence of the PL observed in experiments 14,15 for two different spacer thickness d = 5, 10. In the calculation we used the following parameters: τ = 10 meV, τ d = 0.1 ps, E d = 47 meV, W e = 45 meV, ∆ = 2.5 meV.…”
Section: Comparison With Experimentsmentioning
confidence: 99%
“…We applied the model described above to the experimental data on time-resolved PL 14,15 . As the transition rates for spin up and spin down electrons leaving the QW through the non-radiative channel are different (Γ +1/2 = Γ −1/2 ), a nonzero spin accumulates in the QW.…”
Section: Comparison With Experimentsmentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…В подобных структурах реализуется фундаментальное физическое явление ориентации по спину носителей заряда в активной области за счет обменного взаимодействия с близкорасположенным фер-ромагнитным слоем (эффект близости) [1][2][3]. К прак-тическим преимуществам эффекта близости можно от-нести возможность создания спиновой поляризации в полупроводнике без использования явления спиновой инжекции, в то время как большинство полупровод-никовых гетероструктур ферромагнетик / полупроводник используют именно принцип спиновой инжекции для генерации спин-ориентированных носителей [4,5].…”
Section: Introductionunclassified
“…К прак-тическим преимуществам эффекта близости можно от-нести возможность создания спиновой поляризации в полупроводнике без использования явления спиновой инжекции, в то время как большинство полупровод-никовых гетероструктур ферромагнетик / полупроводник используют именно принцип спиновой инжекции для генерации спин-ориентированных носителей [4,5]. Одной из разновидностей структур, в которых проявляется эффект близости, является квантовая гетерострукту-ра InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn, встроенным в GaAs барьер на небольшом удалении от квантовой ямы InGaAs [3,6,7]. Ранее было показано, что на-магниченный ферромагнитный δ Mn -слой обеспечива-ет спиновую поляризацию носителей в квантовой яме InGaAs.…”
Section: Introductionunclassified