Dynamics of Change of Obtaining Ge–GeS:Nd Heterojunction and Research of Current–Voltage Curve

Abstract

For the first time, we grew an n-Ge-p-GeS:Nd heterojunction by the method of vacuum thermal evaporation, and we studied the possibility of rectifying the current by this heterojunction according to its currentvoltage curve. In order to study the effect of radiation on the currentvoltage curve of the heterojunction, samples were studied as subjected to different doses of gamma irradiation (of 50 and 150 krad). Moreover, the data obtained were compared and analyzed.Вперше ми виростили гетероперехід n-Ge-p-GeS:Nd методою термовакуумного випаровування та вивчили можливість випрямлення струму цим гетеропереходом відповідно до його кривої струм-напруга. З метою вивчення впливу випромінення на криву струм-напруга гетеропереходу було досліджено зразки, що зазнавали різних доз гаммаопромінення (у 50 і 150 крад). Більше того, одержані дані було порівняно й проаналізовано.