Efeito Polarônico em Pontos Quânticos Semicondutores Compostos de GaAs-AlGaAs

Abstract

Neste trabalho apresentamos as correções na estrutura de estados (espectro de energia e densidade de estados) eletrônicos, presente em pontos quânticos semicondutores compostos de GaAs-AlGaAs, devido aos efeitos causados pela interação do elétron (efeito polarônico) com os modos de fônons Longitudinais Ópticos (LO) presentes no material. Utilizaremos o formalismo da função de Green e um método matemático não-perturbativo, baseado no procedimento de ortogonalização de Gram-Schmidt, para avaliar o espectro de energia e a densidade de estados na presença do efeito polarônico. Consideramos um sistema com apenas dois níveis eletrônicos de energia e avaliamos os efeitos da temperatura e do confi namento lateral. Palavras-chave: GaAs-AlGaAs, pontos quânticos, efeito polarônico.In this work we present the corrections in the structure of states (energy spectrum and density of states) electronic, present in compound semiconductor quantum dots of GaAs-AlGaAs due to the effects caused by the interaction of the electron (polaron effect) with the Longitudinal Optical phonon modes (LO) present in the material. We use the formalism of Green's function and a non-perturbative mathematical method, based on the procedure for Gram-Schmidt, to evaluate the energy spectrum and density of states in the presence of the polaron effect. We consider a system with only two electronic energy levels and evaluate the effects of temperature and lateral confi nement.