Effect of implantation of barium and oxygen ions on the emission properties of Mo, Pd, and Pd-Ba

Donaev, S. B.; Kim, Ki Buem; Rabbimov, E. M.; Umirzakov, B. E.; Shirinov, Ganjimurod

doi:10.1063/5.0111857

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Интенсивные иследования свойств диоксида кремния связаны с применением SiO 2 в микроэлектронике, оптоэлектронике [1] и акустоэлектронике [2][3][4]. Основным материалом твердотельной электроники на сегодняшний день является кремний, что обусловлено не только его собственными уникальными свойствами, но и возмож-ностью создания на его поверхности однородной пленки высококачественного диэлектрика [4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14].…”

unclassified

Формирование Диэлектрических Подложек Для Магнетрон-Ного Осаждения Силицидных Покрытий

Игамов,

Камардин,

Бекпулатов

2024

УФЖ

View full text Add to dashboard Cite

Рост оксидных слоев различных диэллектриков на поверхности кремния осуществляют при высокой температуре (1150-1200) по цельсию в атмосфере сухого кислорода O2. Цвет покрытия определяется его толщиной и показателем преломления. При наблюдении света, отраженного под прямым углом (перпендикулярный свет), с учетом того что показатель преломления SiO2 равен 1.46, цветовые оттенки покрытия повторяются по всему спектру от фиолетового до темно-красного через 160-240 нм. SiO2 показывает значительный статистический разброс значений напряжения пробоя (от 15 В до 190 В и выше). Ширина запрещенной зоны с использованием закона отражения (HR-4000) находится в диапазоне от 1.14 до 2.36 эВ. Исследования на IRTracer-100 указывают на образование химической связи между Si-O. Расчеты показали, что напряжённость поля, достаточная для электрического пробоя диоксида кремния, находится в пределах 5 10 5 -5 10 6 В/см.

show abstract