Effect of inhomogeneity on the formation of regular domain structures in LiNbO3 crystal

As-Grown Domain Structure in Calcium Orthovanadate Crystals

“…The geometry of the domain structure, formed during slow cooling just below T C , is determined by spatial distribution of the internal field, produced by bulk defects and composition inhomogeneities. The obtained absence of the quasi-regular layered domain structure justifies random spatial distribution of the defects, without pronounced growth striations [18][19][20][21][22][23]. Formation of charged domain walls is caused by low value of the depolarization field and high bulk conductivity, near T C .…”

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ДВОЙНОГО ЛЕГИРОВАНИЯ LiNbO3:Gd:Mg

“…Как известно, фоторефрактивный эффект обусловлен захватом на глубоких ловушках в запрещенной зоне фотоэлектронов, дрейфующих в поле, возникающем при освещении кристалла вследствие проявления фотовольтаического эффекта в нецентросимметричной среде [10,11]. Поскольку в обоих случаях при выращивании монокристаллов   32 3 : 0, 25 : LiNbO Gd Mg  (0,75 мас.%) и LiNbO 3стех использованы исходные компоненты одинаковой квалификации (осч), кристаллы имеют весьма близкий состав малых количеств неконтролируемых примесей и соответственно, имеют сравнимое количество глубоких ловушек в запрещенной зоне, связанных с примесными дефектами.…”

“…Поскольку в обоих случаях при выращивании монокристаллов   32 3 : 0, 25 : LiNbO Gd Mg  (0,75 мас.%) и LiNbO 3стех использованы исходные компоненты одинаковой квалификации (осч), кристаллы имеют весьма близкий состав малых количеств неконтролируемых примесей и соответственно, имеют сравнимое количество глубоких ловушек в запрещенной зоне, связанных с примесными дефектами. С другой стороны, в кристаллах могут образовываться мелкие электронные ловушки электронов вблизи дна зоны проводимости, («уровни прилипания») с энергетическими уровнями около 2,34 эВ, что соответствует энергии света на длине волны 532 нм, которые могут заметно повышать фоторефрактивный эффект за счет повышения эффективности излучательной рекомбинации фотовозбужденных носителей без их захвата на глубокие уровни [11]. Эффективность такой рекомбинации в значительной степени определяет интенсивность люминесценции в таких кристаллах [11].…”

“…С другой стороны, в кристаллах могут образовываться мелкие электронные ловушки электронов вблизи дна зоны проводимости, («уровни прилипания») с энергетическими уровнями около 2,34 эВ, что соответствует энергии света на длине волны 532 нм, которые могут заметно повышать фоторефрактивный эффект за счет повышения эффективности излучательной рекомбинации фотовозбужденных носителей без их захвата на глубокие уровни [11]. Эффективность такой рекомбинации в значительной степени определяет интенсивность люминесценции в таких кристаллах [11]. Монокристаллы, обладающие меньшей дефектностью, обладают максимальной интенсивностью люминесценции и повышенной стойкостью к оптическому повреждению.…”