Effect of Si-delta doping and barrier lengths on the performance of triple barrier GaAs/AlGaAs resonant tunneling diode

Singh, Man Mohan; Siddiqui, M. J.

doi:10.1109/edssc.2016.7785203

Cited by 4 publications

(1 citation statement)

References 18 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Potansiyel uygulanabilirlik (alan etkili transistörler, kuantum kuyuları, lazerler, elektro-optik modülatörler ve kuantum kuyu kızılötesi foto detektörleri) nedeniyle, çift kuyu üçlü bariyer rezonans tünel yapıları ilgi çekmiştir [18][19][20][21]. Üçlü bariyer RTD' leri ağırlıklı olarak, bellek uygulamalarında yüksek oranda kullanılan çoklu negatif diferansiyel direnç (NDR) bölgelerine sahip cihazın elektrik özelliklerinde çoklu tepe noktaları oluşturmak için kullanılmaktadır [22][23][24].…”

Section: Introductionunclassified

Üçlü Ters Parabolik Kuantum Bariyer Çift Kuyu Potansiyelinde Enerji Seviyeleri ile Elektron Geçişinin Örgü Parametreleri ve Yoğun Lazer Alanına Bağlılığının İncelenmesi

Batı

2021

International Journal of Advances in Engineering and Pure Sciences

View full text Add to dashboard Cite

Bu çalışmanın amacı, yoğun lazer alanı altında GaAs/AlGaAs lardan oluşan üçlü ters parabolik kuantum bariyer çift kuyu potansiyelinde elektronik iletimi ve enerji seviyelerinin bariyer genişlikleri, lazer alanı giydirme parametresine bağlılığını araştırmaktır. Çalışmada Denge-dışı Green fonksiyonları yöntemi kullanılarak iletim olasılıkları ve rezonans enerji seviyeleri tespit edilmiştir. Lazer alanının ve yapı parametrelerinin rezonans tünellemeyi oldukça etkilediği, enerji seviyelerinin yerlerinin kontrolünün bu parametrelerle yapılabildiği görülmüştür. Lazer alanının artmasıyla enerji seviyelerinin daha yüksek enerjilerde ortaya çıktığı görülmüştür. Yapının rezonans tünelleme özelliğinin kontrolü işlevsel nano-aygıt yapımında oldukça önem arz etmektedir.

show abstract