2011
DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.11.012
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Effect of substrate temperature on gold-catalyzed silicon nanostructures growth by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD)

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“…The absorption bands corresponding to the SieH x and SieO x related vibration modes are indicated in the figure. SieH x related vibrational bands [47], such as SieH wagging (w630 cm À1 ), SieH x (x ¼ 1, 2 and 3) bending (845e910 cm À1 ), SieH (2000 cm À1 ) and SieH 2 (2100 cm À1 ) stretching only appeared at T f of 1500 C and above. This indicates that low SiH 4 decomposition efficiency for deposition at T f below 1500 C results in the growth of only the worm-like structures and the In catalyst being covered with a layer of Si deposits instead of SiNWs.…”
Section: Fourier Transform Infraredmentioning
confidence: 97%
“…The absorption bands corresponding to the SieH x and SieO x related vibration modes are indicated in the figure. SieH x related vibrational bands [47], such as SieH wagging (w630 cm À1 ), SieH x (x ¼ 1, 2 and 3) bending (845e910 cm À1 ), SieH (2000 cm À1 ) and SieH 2 (2100 cm À1 ) stretching only appeared at T f of 1500 C and above. This indicates that low SiH 4 decomposition efficiency for deposition at T f below 1500 C results in the growth of only the worm-like structures and the In catalyst being covered with a layer of Si deposits instead of SiNWs.…”
Section: Fourier Transform Infraredmentioning
confidence: 97%
“…Actualmente ha crecido el interés por la fabricación y caracterización de nanoestructuras de silicio, entre las que se incluye nanohilos, pilares, tubos, conos y partículas, estas se han estudiado ampliamente debido a sus propiedades físicas y aplicacioneś unicas en el desarrollo nanoelectrónico, nanofotónico, fotovoltaico y optoelectrónico [14,15]. Aunado a esto se ha trabajado la elaboración de múltiples dispositivos como baterías, paneles solares, detectores, sistemas termoeléctricos, sensores químico-biológicos, microfluidos, etc., que utilizan dichas estructuras de silicio [16].…”
Section: Uso Y Diseño De Las Nanoestructuras De Silicio (Nesis)unclassified
“…Al analizar las técnicas de deposición, cabe mencionar que la deposición de vapor químico de alambre caliente (DVQAC), conocida como una de las nuevas técnicas para la deposición de nanoestructuras de silicio, ha recibido considerable atención para la deposición de materiales de película delgada basados en Si desde el cambio de siglo. En esta se logra una alta uniformidad en las películas de nanoestructuras de silicio que son depositadas [14].…”
Section: Uso Y Diseño De Las Nanoestructuras De Silicio (Nesis)unclassified
“…Moreover, a sharp Raman peak at 500 cm -1 for SiNWs synthesized by PECVD at 400 °C with diameters ranging from 40 nm to 9 400 nm was also observed [14]. The crystallite size D r , can be estimated, depending on the value of the shift in TO phonon mode [42]:…”
Section: Raman Spectramentioning
confidence: 99%