Effect of thickness on structural, optical and electrical properties of nanostructured ZnO thin films by spray pyrolysis

Гетероструктура Для Обращенного Диода На Основе Электроосажденного В Импульсном Режиме Наномассива Оксида Цинка И Изготовленной Методом SILAR Пленки Иодида Меди

“…Для определения энергии активации электропровод-ности E пленок иодида меди использовали соотноше-ние [38] k B -постоянная Больцмана. Энергию активации опре-деляли по наклону зависимости логарифма удельной электропроводности ln σ от 1000/T к оси 1000/T ана-логично [35,38]. Для выяснения типа проводимости наноструктури-рованных массивов ZnO и пленок CuI использовали стандартный метод термозонда [39].…”

“…Электрические свойства хо-рошо согласуются с несовершенством структуры и с особенностями оптических свойств пленок, полученных методом SILAR с использованием 0.14 М NaI, и, веро-ятно, объясняются повышенным рассеянием носителей заряда в объеме зерен и на зернограничной поверхности. Значения энергии активации электропроводности E этих пленок при температурах вблизи комнатной, опре-деленные согласно [38] с помощью уравнения (4) и гра-фических зависимостей на рис. 2, b, составили E ≈ 0.08 и E ≈ 0.09 эВ для пленок CuI, осажденных на подлож-ки из слюды и стекла соответственно.…”

“…2, a) вы-явили, что эти пленки CuI являются полупроводниками p-типа, причем их удельное сопротивление очень низкое ρ ∼ 2 · 10 −5 Ом · м, оно впятеро меньше, чем у пленок, изготовленных при использовании концентрированно-го анионного прекурсора. Значение энергии активации электропроводности E при температурах вблизи ком-натной для пленок CuI, изготовленных методом SILAR при использовании разбавленного анионного прекурсора на стеклянной подложке, определенное согласно [38], с помощью уравнения (4) и графической зависимо-сти на рис. 2, b, E ≈ 0.08 эВ, что в соответствии с работами [45,46] является свидетельством наличия в полупроводнике мелких акцепторных уровней, обеспе-чивающих высокую электропроводность иодида меди, преимущественно в виде вакансий меди V Cu .…”

Thin Films for Immobilization of Complexes with Optical Properties

“…The method is used for deposition of thin ferrite films [50], thin films of the perovskite LaFeO 3 [51], thin films of TiO 2 (pure or modified) [52][53][54][55], films of poly-(methyl)methacrylate [28], and thin films of cerium-doped yttrium-iron garnet [56], each of them with potential applications in water purification, oxygen sensing, thermosensors, for deposition of thin yttria-stabilized zirconia films [1,57,58], for crystalline and non-crystalline iron oxide (α-Fe 2 O 3 ) thin films onto glass substrates at different temperatures [59,60], highly structured ZnO layers [61], transparent conducting zinc oxide thin films [62], lead(II) oxide thin films [63], nanoporous aluminum oxide [64], europium doped lanthanum oxide films [65], and UV excited green emitting Eu(II) activated BaAl 2 O 4 and SrAl 2 O 4 [66] and etc. Typical spray pyrolysis equipment consists of an atomizer, precursor solution, substrate heater, and temperature controller.…”

Study of the doping of thermally evaporated zinc oxide thin films with indium and indium oxide

“…R.F sputtering (Jeong et al 2003), pulsed laser deposition (Craciun et al 1994), spray pyrolysis technique (Prasad and Kumar 2009), sol-gel method (Chien et al 2010), etc. are some of the examples.…”