Effect of Uniaxial Pressure on the Ferroelectric Phase Transition in Pb₅Ge₃O₁₁:Ba Crystals

Abstract

The effect of uniaxial pressure up to 1 kbar applied perpendicular and parallel to c-axis, on the Curie temperature and electric permittivity εc of Ba-doped Pb 5 Ge 3 O 11 single crystals was investigated. The Curie temperature decreases with uniaxial pressure and the coefficient γi (γi ≡ δT c/δXi) is determined as -7 and -11 K kbar −1 for the b-and c-axes, respectively. It was found that uniaxial pressure increases the phase transition diffuseness and the tricritical point cannot be achieved for this pyroelectric and ferroelectric single crystal.

Optical studies of order parameter fluctuations in solid solutions based on lead germanate crystals

“…(ii) When extrapolating the dependence ) (x β presented in Fig. 2 crystals has earlier been suggested in the works [24,25]. Since the effect of hydrostatic or uniaxial pressures on the Curie point is the same as that of increasing dopant concentration, it is believed that the pressure could help in achieving the critical conditions.…”

“…Since the effect of hydrostatic or uniaxial pressures on the Curie point is the same as that of increasing dopant concentration, it is believed that the pressure could help in achieving the critical conditions. Nonetheless, the authors [25] have not been able to find experimentally the tricritical point for the crystals with 05 . 0 = x subjected to pressure.…”

Peculiarities of thermal expansion in ferroelectric lead germanate crystals with nonstoichiometry

“…Кристали германату свинцю Pb 5 Ge 3 O 11 (скорочено ГС) -це одновісні сегнетоелектрики, що зазнають фазового переходу (ФП) другого роду типу зміщення при температурі 450  C T К зі зміною точкової симетрії 3 6  [1]. Незважаючи на загалом добре розуміння механізму цього ФП, кристали ГС продовжують привертати значну увагу дослідників (див., наприклад, [2][3][4][5][6][7][8]). Крім суто фундаментального інтересу до цих модельних сегнетоелектриків, це пояснюється й перспективними можливостями їхніх практичних застосувань, зокрема як піроелектричних матеріалів, елементів сегнетоелектричної пам'яті та матеріалів для запису голограм.…”

“…Покращення практично важливих характеристик ГС часто можна досягти шляхом ізоморфних заміщень в його структурі (див. [4,5,8]) або внесенням дозованої кількості структурних дефектів певних типів [2,6,9].…”