Effects of temperature and rare-earth doping on the transport properties of GaSe crystals

Abdinov, A. Sh.; Бабаева, Р. Ф.; Ragimova, N. A.; Рзаев, Р. М.; Amirova, S. I.

doi:10.1134/s0020168514040013

Cited by 9 publications

(2 citation statements)

References 7 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Since the first days of discovery of these semiconductors [22], the high carrier mobility and its physical mechanism have been the subject of discussion between different authors [23][24][25]. The understanding of these properties requires widespectrum information on the electronic band structure.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Insight into the electronic structure of semiconducting ε−GaSe and ε−InSe

Еремеев

Papagno

Grimaldi

et al. 2020

Phys. Rev. Materials

View full text Add to dashboard Cite

Metal monochalcogenides (MX ) have recently been rediscovered as two-dimensional materials with electronic properties highly dependent on the number of layers. Although some intriguing properties appear in the few-layer regime, the carrier mobility of MX compounds increases with the number of layers, motivating the interest in multilayered heterostructures or bulk materials. By means of angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) measurements and density functional theory calculations, we compare the electronic band structure of bulk -GaSe and -InSe semiconductors. We focus our attention on the top valence band of the two compounds along main symmetry directions, discussing the effect of spin-orbit coupling and contributions from post-transition-metal (Ga or In) and Se atoms. Our results show that the top valence band at point is dominated by Se p z states, while the main effect of Ga or In appears more deeply in binding energy, at the Brillouin zone corners, and in the conduction band. These findings explain also the experimental observation of a hole effective mass rather insensitive to the post-transition metal. Finally, by means of spin-resolved ARPES and surface band structure calculations we describe Rashba-Bychkov spin splitting of surface states in -InSe.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Insight into the electronic structure of semiconducting ε−GaSe and ε−InSe

Еремеев

Papagno

Grimaldi

et al. 2020

Phys. Rev. Materials

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Katkılandırma oranı ile kristallerin kırıcılık [13] (refractivity) ve faz eşleme [14] (phase matching) durumları kontrol edilebilmektedir. Sahip olduğu fiziksel ve doğrusal olmayan optik özellikleri geliştirmek amacıyla, GaSe kristalinin içerisine katkılandırma yapılabilecek atomlar oldukça sınırlıdır [14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][24]. Doğrusal olmayan soğurma (nonlinear absorption) artan şiddete bağlı olarak iki gruba ayrılabilir.…”

Section: Gi̇ri̇ş (Introduction)unclassified

GaSe Kristali İçerisindeki Katkılandırma Atomlarının Doğrusal Olmayan Soğurma, Ultrahızlı Dinamikler ve İkinci Harmonik Üretimi Davranışlarına Etkisi

Karatay

2020

Politeknik Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Bu çalışmada dikey Bridgman-Stockbarger yöntemi kullanılarak saf GaSe, %0,1 Ce ve %0,1 Er katkılandırılmış GaSe kristalleri büyütülmüştür. Açık yarık Z-tarama ve ultrahızlı pompa-gözlem spektroskopi teknikleri kullanılarak büyütülen kristallerin doğrusal olmayan soğurma özellikleri ve ultrahızlı yük transfer dinamikleri araştırılmıştır. Çalışılan tüm kristaller, 1200 nm dalgaboyunda ve 100 fs atma süresinde doğrusal olmayan soğurma davranışları göstermiştir. Doğrusal olmayan soğurma katsayıları %0,1 Ce ve %0,1 Er katkılandırma atomları ile artmaktadır. Bu durum aynı zamanda katkılandırma atomları ile serbest taşıyıcı yoğunluklarının artmasına ve uyarılmış durum soğurmalarının meydana gelmesine neden olmaktadır. Kristallerin ikinci harmonik üretim sinyalleri fiber optik spektrometre yardımı ile ölçülmüştür. Katkılandırılmış GaSe kristallerinin ikinci harmonik üretim sinyalleri saf GaSe kristaline göre spektrumun mavi bölgesine kaymıştır. Ultrahızlı pompa-gözlem deney sonuçlarına göre saf GaSe kristali sürekli uyarılmış durum soğurmaları gösteriyorken, Ce ve Er katkılandırılmış olan kristallerde 2 nanosaniye zaman gecikmesinden sonra iletim bandının hemen altına karşılık gelen dalga boylarında (630 nm-650 nm) doyum sinyalleri gözlenmiştir. Doyum sinyalleri, katkılandırma atomları ile kristal içerisinde oluşan kusur seviyelerinin iletim bandının hemen altına yerleştiğini göstermektedir. Deney sonuçlarına göre, kristallerin doğrusal olmayan soğurma özellikleri, frekans çevrimi ve ultrahızlı yük transfer dinamikleri kristal içerisine yapılan katkılandırma atomları ile kontrol edilebilmektedir. Anahtar Kelimeler: Doğrusal olmayan soğurma, Z-tarama yöntemi, ultrahızlı spektroskopi, yarıiletken kristal.

show abstract

Peculiarities of Kinetic Coefficients of Single Crystals of a Layered р-GaSe Semiconductor

Abdinov

Бабаева

2018

Russ Phys J

View full text Add to dashboard Cite

Effects of temperature and rare-earth doping on the transport properties of GaSe crystals

Cited by 9 publications

References 7 publications

Insight into the electronic structure of semiconducting ε−GaSe and ε−InSe

Insight into the electronic structure of semiconducting ε−GaSe and ε−InSe

GaSe Kristali İçerisindeki Katkılandırma Atomlarının Doğrusal Olmayan Soğurma, Ultrahızlı Dinamikler ve İkinci Harmonik Üretimi Davranışlarına Etkisi

Peculiarities of Kinetic Coefficients of Single Crystals of a Layered р-GaSe Semiconductor

Contact Info

Product

Resources

About