2013
DOI: 10.1016/j.jnucmat.2013.07.027
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Efficiency of generation of optical centers in KS-4V and KU-1 quartz glasses at neutron and gamma irradiation

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

0
2
0
1

Year Published

2017
2017
2023
2023

Publication Types

Select...
5
1

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 9 publications
(3 citation statements)
references
References 17 publications
0
2
0
1
Order By: Relevance
“…При мощности реактора 10 MWt общий нейтронный поток составлял 10 14 cm −2 s −1 и сопровождался потоком γ-квантов 37 Gy/s•сm 2 с энергиями 0.1−7 MeV. Поток быстрых нейтронов, попадающий на образцы, определялся по наведенной радиоактивности размещенного рядом Fe−Ni-монитора с пороговой энергией E > 2.4 MeV и составлял 3 • 10 13 cm −2 • s −1 [13]. Образцы с мониторами заворачивали в Al-фольгу и помещали в Cd-стакан с толщиной стенок 1 mm, который пропускал только быстрые нейтроны с энергией > 0.…”
Section: объект и методы исследованийunclassified
“…При мощности реактора 10 MWt общий нейтронный поток составлял 10 14 cm −2 s −1 и сопровождался потоком γ-квантов 37 Gy/s•сm 2 с энергиями 0.1−7 MeV. Поток быстрых нейтронов, попадающий на образцы, определялся по наведенной радиоактивности размещенного рядом Fe−Ni-монитора с пороговой энергией E > 2.4 MeV и составлял 3 • 10 13 cm −2 • s −1 [13]. Образцы с мониторами заворачивали в Al-фольгу и помещали в Cd-стакан с толщиной стенок 1 mm, который пропускал только быстрые нейтроны с энергией > 0.…”
Section: объект и методы исследованийunclassified
“…to ≈2000 nm). For the UV-vis-IR range, sapphire (Al 2 O 3 ) and high-purity fused silica (SiO 2 ), are the main candidates for optical diagnostic and remote handling systems (windows, lenses, optical fibres) as these materials show relatively high radiation hardness in terms of maintaining transmission under high levels of ionizing radiation (to >10 Gy s −1 ) and atomic displacements (to >10 10 dpa s −1 ) to doses >10 20 n m −2 and >1 MGy (see annex for basic radiation data), at elevated temperatures (100 °C -200 °C) [60][61][62][63][64][65][66][67][68][69][70][71][72][73]. A potential limitation related to their use is the presence of intense RIL bands, which overlap spectral regions of interest for plasma diagnostics and may obscure the useful signal [5,30,31,69,74,75].…”
Section: Vuv-uv-vis-nir Range Windows (λ ≈ 150/190mentioning
confidence: 99%
“…Even for irradiation at 300 °C the RIA is higher than the RIA at 35 °C [68]. This difference in the E′ defect production efficiency has been related to the hydrogen content [73]. A further disadvantage of the low OH material such as KS-4V is the RIL band at about 450 nm, which is only quenched for irradiations above 300 °C, and the high temperature (⩾650 °C) needed to anneal out the associated E′ 215 nm RIA [31,79].…”
Section: Vuv-uv-vis-nir Range Windows (λ ≈ 150/190mentioning
confidence: 99%